[發(fā)明專利]用于生產(chǎn)高溫接收器太陽(yáng)能裝置的基底的光學(xué)選擇性涂層的方法及獲得的相關(guān)材料

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380049187.8
• 申請(qǐng)日: 2013-09-18
• 公開（公告）號(hào): CN104755649B
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 圭多·斯帕諾;C·拉扎利;M·瑪爾拉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 艾尼股份公司
• 主分類號(hào): C23C14/06
• 分類號(hào): C23C14/06;C23C14/16;C23C14/34;C23C28/00;F24J1/00
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11262
• 代理人: 張瑞,鄭霞

1.一種用于生產(chǎn)用于適合于在高溫下操作的太陽(yáng)能接收器的合適材料的接收器基底的光學(xué)選擇性涂層的方法，所述方法包括：

·將由普遍地呈α相的W金屬組成的反射紅外輻射的層沉積于在400℃至600℃的溫度下經(jīng)加熱的接收器基底上；

·當(dāng)沉積所述反射紅外輻射的層時(shí)，在相同的溫度和壓力條件下退火；

·將金屬-陶瓷復(fù)合材料(CERMET)的一個(gè)或更多個(gè)層沉積在所述普遍地呈α相的W金屬上，其中陶瓷基體是YPSZ(“氧化釔-部分穩(wěn)定的氧化鋯”)；

·將抗反射層沉積在金屬陶瓷上；

·當(dāng)沉積所述金屬陶瓷和所述抗反射層時(shí)，在相同的溫度和壓力條件下退火；

其中W的所述反射紅外輻射的層在無(wú)需匹配層的任何預(yù)先沉積的情況下制備。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述太陽(yáng)能接收器由線性拋物線型槽的接收器管構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述抗反射層由YPSZ組成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反射紅外輻射的層、所述金屬陶瓷層和所述抗反射層的沉積利用所述基底或所述接收器管的移動(dòng)借助于在單一室中同時(shí)進(jìn)行的DC/RF濺射來(lái)實(shí)施。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基底或所述接收器管由不銹鋼組成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述基底或所述接收器管通過(guò)具有不大于0.20微米的尺寸的合適的研磨膏來(lái)拋光。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中W的所述反射紅外輻射的層借助于按序排列的以下步驟來(lái)制備：

-足以防止氧污染物的所述室中的初始真空水平；

-在所述室中提供具有W目標(biāo)的DC磁控管源；

-預(yù)濺射所述W目標(biāo)；

-加熱所述基底；

-濺射和低速振蕩W的所述DC磁控管源上的所述基底；

-在相同的沉積溫度和相同的濺射壓力下退火。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中確保以下條件來(lái)制備W的所述反射紅外輻射的層：

-所述室中的所述初始真空水平的壓力范圍為從1×10^-6毫巴至5×10^-6毫巴；

-將所述基底或所述接收器管從400℃加熱至600℃；

-在范圍從2.7×10^-2毫巴至3.2×10^-2毫巴的壓力下濺射，同時(shí)使所述基底以范圍從0.1cm/s至1cm/s的低速度在DC源上振蕩；

-在與所述濺射相同的溫度和壓力下，退火持續(xù)范圍從0.5h至2h的時(shí)間；

以便獲得具有范圍為從200nm至900nm的厚度的普遍地呈α相的W的所述反射紅外輻射的層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的方法，其中所沉積的所述金屬陶瓷層由YPSZ的基體中的按納米級(jí)分散的W組成，所述W的量的范圍為按體積計(jì)的從30％至70％，所述YPSZ的基體的量的范圍為按體積計(jì)的從70％至30％。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述金屬陶瓷層借助于按序排列的以下步驟來(lái)制備：

-預(yù)濺射YPSZ目標(biāo)；

-加熱所述基底或所述接收器管；

-濺射和振蕩所述基底，以便使所述基底交替地暴露于W的所述DC磁控管源和YPSZ源。

11.根據(jù)權(quán)利要求7至8和10中任一項(xiàng)所述的方法，其中由按納米級(jí)分散的W組成的金屬陶瓷的第二層以范圍為按體積計(jì)的從20％至60％的量沉積在YPSZ的基體中，所述YPSZ的基體的量的范圍為按體積計(jì)的從80％至40％，所述第二層中的W的體積百分比相對(duì)于預(yù)先沉積的所述金屬陶瓷層是更低的。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述金屬陶瓷的第二層借助于按序排列的以下步驟來(lái)制備：

-加熱所述基底或所述接收器管；

-濺射和振蕩所述基底，以便使所述基底交替地暴露于W的所述DC磁控管源和YPSZ源。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述金屬陶瓷層通過(guò)在低功率下進(jìn)行所述YPSZ目標(biāo)的所述預(yù)濺射并且持續(xù)范圍從8’至12’的短時(shí)間來(lái)制備。