[發明專利]單極存儲器裝置

有效

• 申請號: 201380049034.3
• 申請日: 2013-08-20
• 公開（公告）號: CN104662610B
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發明（設計）人: 杜賴·維沙克·尼馬爾·拉馬斯瓦米;畢磊
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 路勇

1.一種存儲器設備，其包括：

電阻性存儲器單元，其包含：

氧匯；

氧源；

電介質，其安置于所述氧匯與所述氧源之間，所述電介質與所述氧匯接觸并與所述氧源接觸；及

兩個電極，其具有安置于其之間的所述氧匯、所述氧源及所述電介質，所述兩個電極中的一者與所述氧匯接觸且所述兩個電極中的另一者與所述氧源接觸，所述氧源及所述電介質經結構化：使得可通過將第一電壓施加于所述兩個電極之間來實現在所述電介質中設定導電細絲以將所述氧源耦合到所述氧匯，所述第一電壓具有第一極性；及使得可通過將第二電壓施加于所述兩個電極之間而實現在所述電介質中重設所述細絲，所述第二電壓具有第二極性，所述第二極性與所述第一極性相同。

2.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述氧匯、所述氧源及所述電介質經結構化使得與用于實現所述重設相比，在所述兩個電極之間使用量值較高、脈沖較短或量值既較高而脈沖又較短的電壓來實現設定。

3.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述氧匯、所述氧源及所述電介質經結構化使得與所述設定相比，所述電阻性存儲器單元在所述重設中可借助較長脈沖或較短脈沖及較高電壓或較低電壓而操作。

4.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述氧匯經結構化而在所述電阻性存儲器單元的初始操作之前具有充足數目個空位使得所述電阻性存儲器單元可操作達選定數目個循環。

5.根據權利要求4所述的存儲器設備，其中循環的所述數目等于至少一萬個循環。

6.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述電介質被結構化為所述氧匯與所述氧源之間的勢壘區域。

7.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述氧匯包含以下各項中的一或多者：(Pr，Ca)MnO_x、(La，Sr)CaO_x、(La，Sr)MnOx、SrTiOx，或呈ABO₃、ABO_3-δ、ABO_3+δ、A₂BO₄、A_0.6BO₃、A_1-xBO₃、A_0.3BO₃及A_nB_nO_3n+1的形式的材料，其中A及B為過渡金屬離子。

8.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述氧源包含以下各項中的一或多者：(Pr，Ca)MnO_x、(La，Sr)CaO_x、(La，Sr)MnOx、SrTiOx，或呈ABO₃、ABO_3-δ、ABO_3+δ、A₂BO₄、A_0.6BO₃、A_1-xBO₃、A_0.3BO₃及A_nB_nO_3n+1的形式的材料，其中A及B為過渡金屬離子。

9.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述兩個電極中的一者或兩者包含Pt、Ru、RuO_x、Ir或SrRuO中的一或多者。