[發明專利]半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201380048748.2
• 申請日: 2013-07-19
• 公開（公告）號: CN104641465A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 橫山吉典;遠藤加壽代;藤田淳;曾田真之介;西川和康;野上洋一;山本佳嗣;井上晃
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/02
• 分類號: H01L23/02;H01L23/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 肖靖

技術領域

本發明涉及一種具有中空氣密密封構造的半導體裝置的制造方法。

背景技術

使用了GaAs、GaN等化合物半導體的場效應晶體管元件等高頻半導體裝置的通用化得到快速發展，迫切希望削減成本。為了應對該要求，代替目前為止的完全氣密的金屬封裝，而采用了低價的模塑封裝(mold?package)。但是，在采用如模塑封裝那樣的非氣密封裝的情況下，為了防止以水分為起因的各種劣化，需要確保半導體裝置的抗濕性。因此，希望制造具有只對必要部位進行密封的中空氣密密封構造的半導體裝置。

在以往的半導體裝置中，在安裝了半導體元件的陶瓷基板上通過玻璃接合絕緣蓋體來密封半導體元件(例如，參照專利文獻1)。此外，在該裝置中玻璃的相對介電常數為15以下，絕緣蓋體的相對介電常數為15以下，且陶瓷基板、玻璃以及蓋體的相互的熱膨脹差為1.2×10^-6/℃以下。

專利文獻1：日本特許第3566508號公報(第3頁35～46行、圖1)

發明內容

以往是將半導體元件一個個地用絕緣蓋體進行了密封。因此，雖然氣密性高，但是存在生產率低、制造成本高這樣的問題。

本發明是為了解決如上所述的課題而作出的，其目的在于獲得一種能夠確保氣密性、且降低制造成本的半導體裝置的制造方法。

本發明的半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備如下工序：在第1基板形成多個半導體元件；在第2基板形成多個密封窗和支撐所述多個密封窗的支撐部；經由配置在所述多個半導體元件的周邊的低熔點玻璃材料使所述第2基板的所述多個密封窗接合到所述第1基板；以及從接合在所述第1基板的所述多個密封窗切斷所述支撐部。

通過本發明，能夠確保氣密性、且降低制造成本。

附圖說明

圖1是表示本發明的實施方式1的半導體裝置的截面圖。

圖2是用于說明本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法的截面圖。

圖3是用于說明本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法的截面圖。

圖4是用于說明本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法的截面圖。

圖5是用于說明本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法的俯視圖。

圖6是用于說明本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法的截面圖。

圖7是用于說明本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法的俯視圖。

圖8是用于說明本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法的截面圖。

圖9是用于說明本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法的截面圖。

圖10是表示本發明的實施方式1的半導體裝置的變形例的放大截面圖。

圖11是用于說明本發明的實施方式2的半導體裝置的制造方法的截面圖。

圖12是用于說明本發明的實施方式2的半導體裝置的制造方法的放大俯視圖。

圖13是用于說明本發明的實施方式2的半導體裝置的制造方法的截面圖。

圖14是用于說明本發明的實施方式2的半導體裝置的制造方法的截面圖。

附圖標記說明

1：基板(第1基板)；2：半導體元件；7：低熔點玻璃材料；8：密封窗；9：第1Si層；10：SiO₂層；11：第2Si層；12：SOI基板(第2基板)；13：支撐部；14、17：加壓部件；16：基板(第2基板)；20：開口。

具體實施方式

參照附圖說明本發明的實施方式的半導體裝置的制造方法。對于相同或者相對應的結構要素附加相同的標記，有時省略重復的說明。

實施方式1.

圖1是表示本發明的實施方式1的半導體裝置的截面圖。在基板1上安裝了半導體元件2。基板1是Si、GaAs、GaN、SiC等半導體基板、或者藍寶石、陶瓷等絕緣基板。另外，半導體元件2是場效應晶體管，但是不限于此，也可以是雙極晶體管元件等。

電極焊盤3被電連接到在半導體元件2。電極焊盤3是柵極焊盤、源極焊盤、以及漏極焊盤等。半導體元件2被通過等離子體CVD等形成的SiN膜等表面保護膜4所覆蓋。背面焊盤5設置在基板1的背面，經由貫通基板1的貫通電極6分別電連接到電極焊盤3。這里，使用了背面焊盤5，但是不限于此，也可以使用饋通布線(feedthrough?wiring)。