[發明專利]有機半導體配制劑

有效

• 申請號: 201380048734.0
• 申請日: 2013-09-05
• 公開（公告）號: CN104685649B
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發明（設計）人: P·維日霍維克;P·米希凱維奇;陳莉惠;R·賓塔德;P·C·布魯克斯;L·F·羅茲;H·A·伯貢
• 申請（專利權）人: 默克專利股份有限公司;普羅米魯斯有限責任公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;C07C13/42;C07C13/43;C08G61/08
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 陳晰

根據本發明的實施方案一般涉及用于有機電子器件的并且更具體地是在有機場效應晶體管中的有機半導體層的配制劑，涉及由這樣的配制劑制備的有機半導體層，以及涉及包含這樣的有機半導體層的有機電子器件和有機場效應晶體管。

技術領域

根據本發明的實施方案一般涉及用于有機電子器件的并且更具體 地是在有機場效應晶體管中的有機半導體層的配制劑，涉及由這樣的 配制劑制備的有機半導體層，以及涉及包含這樣的有機半導體層的有 機電子器件和有機場效應晶體管。

背景

近年來存在著對有機電子(OE)器件，例如用于顯示器件或邏輯 功能(capable)電路的背板的有機場效應晶體管(OFET)，和有機 光伏(OPV)器件增長的興趣。常規的OFET具有柵電極，由電介質 材料(也被稱為“電介質”或“柵極電介質”)制成的柵極絕緣體層，源和漏電極，由有機半導體(OSC)材料制成的半導體層，以及經常是 在上述層之上以保護它們免受環境影響和/或來自隨后器件制造步驟 的損壞的鈍化層。

對于OE器件，可溶液加工的OSC層是特別需要的。OSC材料 應是基于溶液的，并應適合于基于溶液的沉積方法，如旋涂、縫模涂 布和刮刀涂布，或者更寬的區域印刷方法，如柔性版印刷、凹版印刷 和絲網印刷。在這種溶液加工的層中使用的OSC材料的關鍵要求是OSC溶劑對下器件層的正交性，和OSC對OSC以上和以下提供的器 件層例如柵極電介質層或鈍化層良好的粘合性。

帕利靈(聚(對二甲苯))是在OE器件例如OFET的電介質或 鈍化層中通常使用的電介質材料。帕利靈是可商購的電介質，當被沉 積在基板上時其由蒸氣化的對二甲苯單體聚合。帕利靈的優點是其相 對簡單的加工，導致得到高度純和均勻的薄膜，其是優異的化學阻隔 層，即熱穩定又UV穩定。

然而，帕利靈對于通常使用的可溶液加工的OSC組合物的粘合性 通常非常低。

因此，希望提供用于制備OE器件中的OSC層的溶液可加工OSC 配制劑，其對于在這種器件的電介質層或鈍化層中使用的帕利靈層顯 示了改進的粘合性。

概述

根據本發明的實施方案涉及包含有機半導體(OSC)和具有一種 或多種反應性側基的多環烯烴聚合物的配制劑，所述配制劑任選包含 溶劑。

根據本發明的一些實施方案涉及通過使用前述配制劑獲得的 OSC層。

根據本發明的一些實施方案涉及由前述配制劑制備OSC層的方 法。

根據本發明的一些實施方案涉及包含通過使用包含溶劑、OSC和 具有一種或多種反應性側基的多環烯烴聚合物的配制劑獲得的OSC 層的有機電子(OE)器件，所述OE器件進一步包含通過將對二甲苯 氣相沉積至所述OSC層上獲得的電介質層或鈍化層。

根據本發明的一些實施方案還涉及制造OE器件的方法，包括通 過使用前述OSC配制劑提供OSC層以及提供通過將對二甲苯氣相沉 積到所述OSC層上獲得的電介質層或鈍化層。

前述OE器件例如為有機場效應晶體管(OFET)，包括有機薄 膜晶體管(OTFT)，有機發光二極管(OLED)，有機光電探測器 (OPD)或有機光伏(OPV)器件。對于OFET，這種器件包括頂柵 OFET或底柵OFET二者。

本發明的實施方案還涉及含有上下文所述的OE器件的產品或組 件。這樣的產品或組件為集成電路(IC)，射頻識別(RFID)標簽， 含有RFID標簽的安全標記或安全器件，平板顯示器(FPD)，FPD 的背板，FPD的背光，電子照相器件，電子照相記錄器件，有機存儲 器件，壓力傳感器，光學傳感器，化學傳感器，生物傳感器或生物芯 片。

附圖的簡要說明

以下參照下列附圖描述本發明的實施方案。

圖1是根據本發明頂柵OFET器件實施方案的圖示；