[發(fā)明專利]映射以及消融閉環(huán)冷卻的消融導(dǎo)管

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380048606.6
• 申請(qǐng)日: 2013-09-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104640513A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薩亞·圖恩;艾薩克·金姆;約瑟夫·V·科布利什;明州·N·曹;史蒂夫·哈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 波士頓科學(xué)醫(yī)學(xué)有限公司
• 主分類號(hào): A61B18/14
• 分類號(hào): A61B18/14;A61B18/00;A61B17/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊生平;鐘錦舜

1.一種用于執(zhí)行映射功能和消融功能的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：

導(dǎo)管，其成尺寸及成形為用于脈管接入并且包括在近端和遠(yuǎn)端之間延伸的細(xì)長(zhǎng)本體；

尖端部分，其定位在所述本體的遠(yuǎn)端處，所述尖端部分包括近側(cè)部分和遠(yuǎn)側(cè)部分；以及

在所述尖端部分的外表面上的一個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)，所述一個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)中的每個(gè)電極結(jié)構(gòu)均包括在所述尖端部分的遠(yuǎn)側(cè)部分處的映射電極以及電耦接到所述映射電極的接觸墊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述尖端部分包括消融電極，其構(gòu)造成為射頻消融程序遞送射頻能量，并且其中所述一個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)位于所述消融電極的外表面上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的系統(tǒng)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)還包括位于所述一個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)中的每個(gè)電極結(jié)構(gòu)和所述消融電極之間的絕緣基層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，所述導(dǎo)管包括至少一個(gè)內(nèi)部流體腔，其中，所述消融電極包括限定了位于所述消融電極內(nèi)的打開(kāi)的內(nèi)部區(qū)域的外壁，并且其中所述導(dǎo)管系統(tǒng)還包括：

位于所述打開(kāi)的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的熱質(zhì)量；以及

冷卻室，其與所述細(xì)長(zhǎng)本體的至少一個(gè)內(nèi)部流體腔流體連通并且定位成接近所述熱質(zhì)量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，所述消融電極包括限定了位于所述消融電極內(nèi)的打開(kāi)的內(nèi)部區(qū)域的外壁，其中所述外壁包括沖洗端口，并且其中所述沖洗端口與所述打開(kāi)的內(nèi)部區(qū)域流體連通以使流體從所述打開(kāi)的內(nèi)部區(qū)域流過(guò)所述沖洗端口。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，所述尖端部分包括可移動(dòng)地耦接到所述導(dǎo)管的遠(yuǎn)端的柔性氣球。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，還包括設(shè)置在所述本體上的接近所述一個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)映射環(huán)電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)的每個(gè)電極結(jié)構(gòu)還包括：

位于所述接觸墊和所述映射電極之間的傳導(dǎo)跡線；以及

位于所述傳導(dǎo)跡線上的絕緣涂層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，所述傳導(dǎo)跡線具有小于100歐姆的阻抗。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，通過(guò)物理氣相沉積來(lái)形成所述一個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)。

11.一種用于執(zhí)行映射功能和消融功能的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：

導(dǎo)管，其成尺寸及成形為用于脈管接入并且包括在近端和遠(yuǎn)端之間延伸的細(xì)長(zhǎng)本體并且具有至少一個(gè)內(nèi)部流體腔；

消融電極，其耦接到所述導(dǎo)管本體的遠(yuǎn)端并且構(gòu)造成為射頻消融程序遞送射頻能量，其中所述消融電極包括限定了位于所述消融電極內(nèi)的打開(kāi)的內(nèi)部區(qū)域的外壁；

位于所述打開(kāi)的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的熱質(zhì)量；

冷卻室，其與所述細(xì)長(zhǎng)本體的所述至少一個(gè)內(nèi)部流體腔流體連通并且定位成接近所述熱質(zhì)量；

位于所述消融電極的外表面上的一個(gè)或多個(gè)絕緣基層；以及

一個(gè)或多個(gè)映射電極，每個(gè)映射電極設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)絕緣基層中的一個(gè)上，每個(gè)映射電極接近所述消融電極的遠(yuǎn)端。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，還包括：

在所述消融電極的近端處的一個(gè)或多個(gè)接觸墊，其中，每個(gè)接觸墊電耦接到一個(gè)或多個(gè)映射電極中的一個(gè)映射電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的系統(tǒng)，每個(gè)接觸墊通過(guò)傳導(dǎo)跡線連接到一個(gè)或多個(gè)映射電極中的一個(gè)映射電極。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，還包括位于所述傳導(dǎo)跡線上的絕緣涂層。

15.根據(jù)權(quán)利要求11至14任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，還包括設(shè)置在所述本體上接近所述一個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)映射環(huán)電極。

16.根據(jù)權(quán)利要求11至15任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中通過(guò)物理氣相沉積來(lái)形成所述映射電極。