[發明專利]X射線輻射檢測器和CT系統

有效

• 申請號: 201380048502.5
• 申請日: 2013-07-10
• 公開（公告）號: CN104662675B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: M.拉巴延德英扎;F.迪雷;B.克賴斯勒;D.尼德洛納;C.施勒特;M.斯特拉斯伯格
• 申請（專利權）人: 西門子公司
• 主分類號: H01L31/115
• 分類號: H01L31/115;G01T1/24
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 謝強

1.一種使用在CT系統(C1)內的用于檢測X射線輻射的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其至少具有：

1.1用于檢測X射線輻射的半導體(1)，和

1.2至少一個安裝在所述半導體(1)上的電極(2)，其中所述半導體(1)和所述至少一個電極(2)導電連接，并且所述至少一個電極(2)形成為透明并導電，

其特征在于，

1.3安裝在半導體(1)上的所述至少一個電極(2)至少具有以如下次序的如下層：至少一個接觸層(3)，帶有至少一個嵌入在附著劑(4a)內的填充元件(4b)的至少一個中間層(4)，至少一個TCO層(5)和至少一個載體保護層(6)。

2.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述接觸層(3)形成為至少部分地透明的。

3.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一個接觸層(3)的厚度至多為250nm。

4.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一個接觸層(3)的厚度至多為200nm。

5.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一個接觸層(3)的厚度至多為150nm。

6.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一個接觸層(3)形成為多孔的，其中所述至少一個接觸層(3)的孔對于電磁輻射是透明的。

7.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一個接觸層(3)形成為網狀。

8.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一個接觸層(3)由如下列表的至少一個材料形成：鉑、銦、鉬、鎢、釕、銠、金、銀、鋁。

9.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述附著劑(4a)形成為對于電磁輻射至少是半透明的。

10.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述附著劑(4a)形成為對于電磁輻射是透明的。

11.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一個填充元件(4b)形成所述至少一個電極(2)的至少一個接觸層(3)和另外的層(5)之間的導電連接。

12.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一個填充元件(4b)由金屬形成。

13.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一個中間層(4)具有至多為用于產生附加的電荷載體的附加輻射的強度的75％的吸收度，其中，所述附加輻射是IR、UV或可見光輻射。

14.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一個中間層(4)具有至多為用于產生附加的電荷載體的附加輻射的強度的60％的吸收度，其中，所述附加輻射是IR、UV或可見光輻射。

15.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一個中間層(4)具有至多為用于產生附加的電荷載體的附加輻射的強度的50％的吸收度，其中，所述附加輻射是IR、UV或可見光輻射。

16.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一個中間層(4)具有至多為用于產生附加的電荷載體的附加輻射的強度的40％的吸收度，其中，所述附加輻射是IR、UV或可見光輻射。

17.根據前述權利要求1所述的直接轉換式X射線輻射檢測器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一個TCO層(5)由如下列表的至少一個材料形成：純的或摻雜的氧化銦錫，純的或摻雜的氧化銦，氧化錫，純的或摻雜的氧化鋅，氧化鎘，或聚3,4-乙烯二氧噻吩，聚苯乙烯磺酸，碳納米管，純的或摻雜的聚苯胺的衍生物。