[發(fā)明專利]原料填充方法、單晶的制造方法及單晶制造裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380048354.7
• 申請(qǐng)日: 2013-10-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104641024A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 北川勝之;浦野雅彥;吉田勝浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信越半導(dǎo)體株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C30B15/02
• 分類號(hào): C30B15/02;C30B29/06
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 謝順星;張晶

1.一種原料填充方法，在具有向石英坩堝內(nèi)填充原料的工序、在所述石英坩堝內(nèi)熔融所述原料形成熔液的工序以及從該熔液中提拉單晶的工序的單晶的制造中，在向所述石英坩堝內(nèi)填充原料的工序中，在具有圓筒部件及錐形閥的再裝填管中收容所述原料，其中，所述圓筒部件為石英制并收容所述原料，所述錐形閥用于開(kāi)閉該圓筒部件下端的開(kāi)口部，將該收容有原料的再裝填管安置在腔室內(nèi)，使所述錐形閥下降，打開(kāi)所述圓筒部件下端的開(kāi)口部，由此向所述石英坩堝內(nèi)投入收容在所述再裝填管內(nèi)的原料，其特征在于，

配置所述再裝填管及所述石英坩堝，使開(kāi)始投入所述原料時(shí)所述再裝填管的下端與所述石英坩堝內(nèi)的原料或者熔液的距離為200mm以上250mm以下，之后，以所述石英坩堝的下降速度(CL)與所述再裝填管的錐形閥的下降速度(SL)之比(CL/SL)為1.3以上1.45以下的方式，一邊使所述石英坩堝和所述再裝填管的錐形閥同時(shí)下降，一邊投入所述原料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原料填充方法，其特征在于，將所述再裝填管的錐形閥的下降速度(SL)設(shè)為250mm/min以上375mm/min以下。

3.一種單晶的制造方法，其反復(fù)進(jìn)行如下工序，即，向所述石英坩堝內(nèi)填充原料的工序、在所述石英坩堝內(nèi)熔融所述原料形成熔液的工序以及從該熔液中提拉單晶的工序，使用同一個(gè)石英坩堝來(lái)制造多個(gè)單晶，其特征在于，

在填充所述原料的工序中，通過(guò)權(quán)利要求1或2所述的原料填充方法來(lái)填充所述原料。

4.一種單晶制造裝置，其具備石英坩堝、腔室、再裝填管，其中，所述石英坩堝收容原料；所述腔室收納熔融該原料從而制成熔液的加熱器；所述再裝填管被安置在該腔室內(nèi)，并具有圓筒部件及錐形閥，其中，所述圓筒部件為石英制并收容所述原料；所述錐形閥用于開(kāi)閉該圓筒部件下端的開(kāi)口部，其特征在于。

還具備控制裝置，所述控制裝置在權(quán)利要求1或2所述的原料填充方法中向所述石英坩堝內(nèi)填充原料的工序中，對(duì)開(kāi)始投入所述原料時(shí)的所述再裝填管及所述石英坩堝的配置，以及在投入所述原料過(guò)程中的所述石英坩堝與所述再裝填管的錐形閥的下降進(jìn)行自動(dòng)控制。