[發明專利]自由基成分的氧化物蝕刻

有效

• 申請號: 201380048351.3
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN104641455B
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: Z·陳;J·張;C-M·徐;S·樸;A·王;N·K·英格爾
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 陸勍

1.一種在基板處理腔室的基板處理區域中蝕刻圖案化基板的方法，其中所述圖案化基板具有暴露的氧化硅區域，所述方法包含：

使含氟前體流進遠端等離子體區域，同時在所述遠端等離子體區域中形成遠端等離子體以產生等離子體流出物，所述遠端等離子體區域流通式耦接至所述基板處理區域；

使含氮和氫前體流進所述基板處理區域中，而不先使所述含氮和氫前體通過所述遠端等離子體區域；以及

在所述基板處理區域中，以這些等離子體流出物及所述含氮和氫前體的組合蝕刻所述暴露的氧化硅區域。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包含：在所述遠端等離子體的形成期間，使含氧前體流進所述遠端等離子體區域。

3.如權利要求1所述的方法，進一步包含：在所述遠端等離子體的形成期間，使分子氧、二氧化氮或一氧化二氮的一者流進所述遠端等離子體區域。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述含氮和氫前體是由氮和氫組成。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述含氮和氫前體包含氨。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述圖案化基板進一步包含暴露的多晶硅區域，且所述蝕刻操作的、暴露的氧化硅區域相較于暴露的多晶硅區域的選擇性大于50：1或為50:1。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述圖案化基板進一步包含暴露的多晶硅區域，且所述蝕刻操作的、暴露的氧化硅區域相較于暴露的多晶硅區域的選擇性大于100：1或為100:1。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述圖案化基板進一步包含暴露的氮化硅區域，且所述蝕刻操作的、暴露的氧化硅區域相較于暴露的氮化硅區域的選擇性大于30：1或為30:1。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述圖案化基板進一步包含暴露的氮化硅區域，且所述蝕刻操作的、暴露的氧化硅區域相較于暴露的氮化硅區域的選擇性大于70：1或為70:1。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述基板處理區域是無等離子體。

11.如權利要求1所述的方法，其中所述含氮和氫前體未被任何在所述基板處理區域的外側形成的遠端等離子體激發。

12.如權利要求1所述的方法，其中所述含氟前體包含從由氟原子、雙原子氟、三氟化氮、四氟化碳、氟化氫及二氟化氙所組成的群組中選出的前體。

13.如權利要求1所述的方法，其中所述含氟前體及這些等離子體流出物不含氫。

14.如權利要求5所述的方法，其中所述含氟前體流過雙區噴淋頭中的多個通孔且所述氨通過所述雙區噴淋頭中的多個不同的區，其中這些不同的區通往所述基板處理區域，但不通往所述遠端等離子體區域。

15.如權利要求1所述的方法，其中在所述蝕刻操作期間，所述圖案化基板的溫度大于10℃或為10℃且小于250℃或為250℃。

16.如權利要求1所述的方法，其中在所述蝕刻操作期間，所述圖案化基板的溫度大于100℃或為100℃且小于或140℃或為140℃。

17.如權利要求1所述的方法，其中在所述蝕刻操作期間，所述基板處理區域內的壓力低于50托耳或為50托耳且高于或0.1托耳或為0.1托耳。

18.如權利要求1所述的方法，其中在所述遠端等離子體區域中形成等離子體以產生等離子體流出物包含：施加射頻功率至所述等離子體區域，所述射頻功率介于10瓦與2000瓦之間。

19.如權利要求1所述的方法，其中在所述遠端等離子體區域中的等離子體是電容式耦合的等離子體。