[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380047860.4
• 申請(qǐng)日: 2013-09-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104620390A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山崎舜平;三宅博之;宍戶英明;小山潤(rùn)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/786
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/786;G02F1/1343;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/423;H01L29/49
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 葉曉勇;姜甜

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

襯底；

所述襯底上的第一絕緣膜；

所述第一絕緣膜上的第二絕緣膜，所述第二絕緣膜包括第一氧化絕緣膜和層疊于所述第一氧化絕緣膜上的第一氮化絕緣膜；

所述第二絕緣膜上的透光性電極；

晶體管，包括：

柵電極；

所述柵電極上的所述第一絕緣膜；以及

所述第一絕緣膜上的與所述柵電極重疊的金屬氧化物半導(dǎo)體膜；

電容器，包括：

所述第一絕緣膜上的用作第一電容電極的透光性導(dǎo)電膜；

所述透光性導(dǎo)電膜上的用作電容介電膜的所述第二絕緣膜的一部分；以及

所述第二絕緣膜的所述一部分上的用作第二電容電極的所述透光性電極，

其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體膜及所述透光性導(dǎo)電膜使用相同膜形成，

所述第一氧化絕緣膜在所述金屬氧化物半導(dǎo)體膜上并與其接觸，

并且，所述第一氮化絕緣膜在所述透光性導(dǎo)電膜上并與其接觸且與所述金屬氧化物半導(dǎo)體膜重疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述透光性導(dǎo)電膜含有比所述金屬氧化物半導(dǎo)體膜更高濃度的摻雜劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述第一絕緣膜包括接觸于所述透光性導(dǎo)電膜的第二氮化絕緣膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述第一絕緣膜包括第二氮化絕緣膜以及層疊于所述第二氮化絕緣膜上的第二氧化絕緣膜，

所述第二氮化絕緣膜接觸于所述透光性導(dǎo)電膜，

并且，所述第二氧化絕緣膜接觸于所述金屬氧化物半導(dǎo)體膜。

5.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

襯底；

所述襯底上的第一絕緣膜；

所述第一絕緣膜上的第二絕緣膜；

所述第二絕緣膜上的透光性電極；

晶體管，包括：

柵電極；

所述柵電極上的所述第一絕緣膜；以及

所述第一絕緣膜上的與所述柵電極重疊的金屬氧化物半導(dǎo)體膜；

電容器，包括：

所述第一絕緣膜上的用作第一電容電極的透光性導(dǎo)電膜；

所述透光性導(dǎo)電膜上的用作電容介電膜的所述第二絕緣膜的一部分；以及

所述第二絕緣膜的所述一部分上的用作第二電容電極的所述透光性電極，

其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體膜及所述透光性導(dǎo)電膜使用相同膜形成，

并且，所述透光性導(dǎo)電膜含有比所述金屬氧化物半導(dǎo)體膜更高濃度的摻雜劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述第一絕緣膜包括接觸于所述透光性導(dǎo)電膜的氮化絕緣膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述第一絕緣膜包括氮化絕緣膜以及層疊于所述氮化絕緣膜上的氧化絕緣膜，

所述氮化絕緣膜接觸于所述透光性導(dǎo)電膜，

并且，所述氧化絕緣膜接觸于所述金屬氧化物半導(dǎo)體膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求１所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述透光性導(dǎo)電膜含有比所述金屬氧化物半導(dǎo)體膜更高濃度的氫。

9.根據(jù)權(quán)利要求５所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述透光性導(dǎo)電膜含有比所述金屬氧化物半導(dǎo)體膜更高濃度的氫。

10.根據(jù)權(quán)利要求１所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述透光性導(dǎo)電膜含有比所述金屬氧化物半導(dǎo)體膜更高濃度的氮。

11.根據(jù)權(quán)利要求５所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述透光性導(dǎo)電膜含有比所述金屬氧化物半導(dǎo)體膜更高濃度的氮。

12.根據(jù)權(quán)利要求１所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述透光性導(dǎo)電膜含有濃度高于1×10¹⁹atoms/cm³且低于或等于1×10²²atoms/cm³的摻雜劑。

13.根據(jù)權(quán)利要求５所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述透光性導(dǎo)電膜含有濃度高于1×10¹⁹atoms/cm³且低于或等于1×10²²atoms/cm³的所述摻雜劑。