[發明專利]減少在放大器輸入端的寄生不匹配的效應有效
| 申請號： | 201380047204.4 | 申請日： | 2013-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN104838587B | 公開（公告）日： | 2018-02-02 |
| 發明（設計）人： | 派翠克·J·昆恩;約翰·K·珍寧斯;達拉·華許;帕德拉·凱利 | 申請（專利權）人： | 吉林克斯公司 |
| 主分類號： | H03F1/56 | 分類號： | H03F1/56;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京寰華知識產權代理有限公司11408 | 代理人： | 林柳岑 |
| 地址： | 美國加州圣*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 減少 放大器 輸入 寄生 匹配 效應 | ||
1.一種用于減少在放大器輸入端的寄生不匹配的效應的電路，其包括：
放大器，其包括差分輸入級，所述差分輸入級包含第一輸入端子及第二輸入端子；
差分輸入線，其耦合到所述第一輸入端子及所述第二輸入端子；以及
屏蔽件，其至少部分地涵蓋所述差分輸入線；
其中所述屏蔽件連接到所述放大器的所述差分輸入級的節點；
其中所述差分輸入線及所述屏蔽件實質上平行；以及
其中所述差分輸入線及所述屏蔽件實質上垂直于用以實施所述電路的集成電路制造過程的處理層；
其中所述差分輸入級包括：
具有源極、漏極及柵極的第一晶體管；以及
具有源極、漏極及柵極的第二晶體管；
其中所述第一晶體管的所述源極連接到所述第二晶體管的所述源極，從而形成所述節點。
2.根據權利要求1所述的電路，其中所述差分輸入級包含輸入差分金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)對。
3.根據權利要求1或2所述的電路，其中所述節點為共源極節點。
4.根據權利要求1所述的電路，其中：
所述第一晶體管的所述柵極連接到所述第一輸入端子；且
所述第二晶體管的所述柵極連接到所述第二輸入端子。
5.根據權利要求1所述的電路，其中所述放大器為開關電容器電路的部分。
6.根據權利要求1所述的電路，其中所述放大器為數據轉換器電路的部分。
7.根據權利要求6所述的電路，其中所述屏蔽件位于所述差分輸入線的每一側上。
8.根據權利要求1所述的電路，其中：
所述第一輸入端子通過所述差分輸入線的第一輸入線連接到第一電容器；且
所述第二輸入端子通過所述差分輸入線的第二輸入線連接到第二電容器。
9.一種用于減少在電路中的放大器輸入端的寄生不匹配的效應的方法，其包括：
提供放大器，所述放大器包括差分輸入級，所述差分輸入級包含第一輸入端子及第二輸入端子；
將差分輸入線連接到所述第一輸入端子及所述第二輸入端子；
形成至少部分地涵蓋所述差分輸入線的屏蔽件；以及
將所述屏蔽件連接到所述放大器的所述差分輸入級的節點；
其中所述差分輸入線及所述屏蔽件實質上平行；以及
其中所述差分輸入線及所述屏蔽件實質上垂直于用以實施所述電路的集成電路制造過程的處理層；
其中所述差分輸入級包括：
具有源極、漏極及柵極的第一晶體管；以及
具有源極、漏極及柵極的第二晶體管；
其中所述第一晶體管的所述源極連接到所述第二晶體管的所述源極，從而形成所述節點。
10.根據權利要求9所述的方法，其中所述差分輸入級包含輸入差分金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)對。
11.根據權利要求9所述的方法，其中：
所述第一晶體管的所述柵極耦合到所述第一輸入端子；且
所述第二晶體管的所述柵極耦合到所述第二輸入端子。
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