[發(fā)明專利]與基于絕緣體上的硅的射頻開關(guān)有關(guān)的電路、器件和方法及其組合

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380046576.5
• 申請(qǐng)日: 2013-07-06
• 公開（公告）號(hào): CN104604135B
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F.阿爾滕吉利克;G.布林;H.塞比;H.富;M.蘇;J-H.李;A.馬丹;N.斯里拉塔納;C.希;S.斯普林克利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天工方案公司
• 主分類號(hào): H03K17/687
• 分類號(hào): H03K17/687;H04B1/44
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 于小寧,胡琪

1.一種射頻開關(guān)，包括：

多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，被布置在第一和第二節(jié)點(diǎn)之間，所述多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)具有相應(yīng)的源極、漏極、柵極和體，所述多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管包含串聯(lián)連接的第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管；以及

補(bǔ)償電路，所述補(bǔ)償電路包含非線性電容器，所述非線性電容器在第一端處連接到所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極兩者，并且所述非線性電容器進(jìn)一步在第二端處連接到接地參考，所述補(bǔ)償電路被配置為補(bǔ)償由所述多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的至少一個(gè)生成的非線性效應(yīng)。

2.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)，其中，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管是絕緣體上的硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

3.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)，其中，所述非線性電容器包含金屬氧化物半導(dǎo)體電容器。

4.如權(quán)利要求3所述的射頻開關(guān)，其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器被配置為生成一個(gè)或多個(gè)諧波以基本上消除所述非線性效應(yīng)。

5.如權(quán)利要求4所述的射頻開關(guān)，其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器包含場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求5所述的射頻開關(guān)，其中，由所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器生成的一個(gè)或多個(gè)諧波至少部分由向所述金屬氧化物半導(dǎo)體電容器的場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)提供的體偏置信號(hào)來控制。

7.如權(quán)利要求5所述的射頻開關(guān)，其中，所述非線性電容器的第一端連接到所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的源極和漏極。

8.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)，進(jìn)一步包括柵極偏置電路，該柵極偏置電路連接到所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極并且被配置為向所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極提供偏置信號(hào)。

9.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)，進(jìn)一步包括體偏置電路，該體偏置電路連接到所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的體并且被配置為向所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的體提供偏置信號(hào)。

10.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)，其中，當(dāng)所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)中時(shí)，所述第一節(jié)點(diǎn)被配置為接收具有一功率值的射頻信號(hào)，并且所述第二節(jié)點(diǎn)被配置為輸出所述射頻信號(hào)。

11.如權(quán)利要求10所述的射頻開關(guān)，其中，所述多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管包含串聯(lián)連接的N個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，數(shù)量N被選擇為允許所述開關(guān)電路處理所述射頻信號(hào)的功率。

12.一種用于操作射頻開關(guān)的方法，所述方法包括：

控制被布置在第一和第二節(jié)點(diǎn)之間的多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)具有相應(yīng)的源極、漏極、柵極和體，所述多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管包含串聯(lián)連接的第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，使得所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)中；以及

通過對(duì)所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極兩者施加另一非線性信號(hào)，來補(bǔ)償所述多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的非線性效應(yīng)。

13.一種半導(dǎo)體裸芯，包括：

半導(dǎo)體基底；

多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，形成在所述半導(dǎo)體基底上，所述多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)具有相應(yīng)的源極、漏極、柵極和體，所述多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管包含串聯(lián)連接的第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管；和

補(bǔ)償電路，所述補(bǔ)償電路包含非線性電容器，所述非線性電容器在第一端處連接到所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極兩者，并且所述非線性電容器進(jìn)一步在第二端處連接到接地參考，所述補(bǔ)償電路被配置為補(bǔ)償由所述多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的至少一個(gè)生成的非線性效應(yīng)。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裸芯，進(jìn)一步包括被布置在所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管與所述半導(dǎo)體基底之間的絕緣體層。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裸芯，其中，所述裸芯是絕緣體上的硅裸芯。