[發明專利]透明OLED光提取

有效

• 申請號: 201380046403.3
• 申請日: 2013-08-15
• 公開（公告）號: CN104813500B
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 謝爾蓋·拉曼斯基;吉代沃·阿雷費;基思·L·貝爾曼;史蒂文·J·麥克曼;喬納森·A·阿尼姆-阿多;威廉·A·托爾伯特
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧麗波;井杰

1.一種發光裝置，包括：

具有設置在底板上的上電極和相對下電極的有機發光二極管(OLED)裝置，其中由所述OLED裝置發出的光能夠實質上透過所述上電極、所述相對下電極和所述底板中的每一個；

緊鄰所述上電極設置的覆蓋層；和

鄰近所述覆蓋層設置的光提取膜，

其中所述光提取膜包括基板、施加于所述基板的納米結構層、和設置在所述納米結構上方且鄰近所述覆蓋層的回填層，所述回填層具有的折射率大于所述納米結構的折射率，所述基板包括實質上反射由所述OLED裝置發出的光的材料，使得由所述OLED裝置發出的光從所述基板反射并穿過所述底板，

所述上電極與所述相對下電極之間設置有電致發光有機材料，所述覆蓋層的折射率大于所述電致發光有機材料的折射率，

所述覆蓋層與所述回填層之間設置有粘合劑光學耦合層，所述覆蓋層的折射率大于所述光學耦合層的折射率。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述納米結構包含工程化納米級圖案。

3.一種有源矩陣有機發光二極管(AMOLED)裝置，包括：

發光裝置陣列，每個發光裝置包括：

具有設置在底板上的上電極和相對下電極的有機發光二極管(OLED)裝置，其中由所述OLED裝置發出的光能夠實質上透過所述上電極、所述相對下電極和所述底板中的每一個；

緊鄰所述上電極設置的覆蓋層；和

設置在所述發光裝置陣列上方的光提取膜，所述光提取膜鄰近所述覆蓋層，

其中所述光提取膜包括基板、施加于所述基板的納米結構層、和設置在所述納米結構上方且鄰近所述覆蓋層的回填層，所述回填層具

有的折射率大于所述納米結構的折射率，所述基板包括實質上反射由所述OLED裝置發出的光的材料，使得由所述OLED裝置發出的光從所述基板反射并穿過所述底板，

所述上電極與所述相對下電極之間設置有電致發光有機材料，所述覆蓋層的折射率大于所述電致發光有機材料的折射率，

所述覆蓋層與所述回填層之間設置有粘合劑光學耦合層，所述覆蓋層的折射率大于所述光學耦合層的折射率。

4.一種圖像顯示裝置，包括：

多個發光裝置，每個發光裝置包括：

具有設置在底板上的上電極和相對下電極的有機發光二極管(OLED)裝置，其中由所述OLED裝置發出的光能夠實質上透過所述上電極、所述相對下電極和所述底板中的每一個；

緊鄰所述上電極設置的覆蓋層；

鄰近所述覆蓋層設置的光提取膜；和

能夠激發所述發光裝置中的每一個的電子電路，

其中所述光提取膜包括基板、施加于所述基板的納米結構層、和設置在所述納米結構上方且鄰近所述覆蓋層的回填層，所述回填層具有的折射率大于所述納米結構的折射率，所述基板包括實質上反射由所述OLED裝置發出的光的材料，使得由所述OLED裝置發出的光從所述基板反射并穿過所述底板，

所述上電極與所述相對下電極之間設置有電致發光有機材料，所述覆蓋層的折射率大于所述電致發光有機材料的折射率，

所述覆蓋層與所述回填層之間設置有粘合劑光學耦合層，所述覆蓋層的折射率大于所述光學耦合層的折射率。