[發明專利]具有改善的單晶材料使用效率的偽襯底

有效

• 申請號: 201380045848.X
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN104718599B
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: 法布里斯·勒泰特;奧列格·科農丘克
• 申請（專利權）人: 索泰克公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;C30B33/00;H01L21/02;H01L33/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 龐東成,解延雷

1.一種用于制造偽襯底(610)的方法，所述方法包括以下步驟：

提供單晶錠(601)；

提供操作襯底(602)；

沿平行于單晶錠(601)一個端面的方向從單晶錠(601)切取薄切片(605)；以及

將所述薄切片(605)附接至所述操作襯底(602)，以形成偽襯底(610)；

所述偽襯底(610)用于在其中或其上制造半導體器件，并且在制得所述半導體器件后去除所述操作襯底(602)，

其特征在于，

所述薄切片(605)的厚度等于或小于臨界厚度，低于所述臨界厚度時，所述切片(605)在單獨取用時不再是機械穩定的，

所述方法進一步包括以下步驟：在切取所述薄切片(605)之前在所述單晶錠(601)上提供加強物(608)，從而使所述加強物(608)和所述薄切片(605)形成機械穩定的自支撐結構體(609)，

所述加強物(608)是沉積的氧化物層，所述薄切片(605)與所述操作襯底(602)的附接通過分子鍵合使用所述氧化物層作為鍵合層實現。

2.如權利要求1所述的方法，所述方法進一步包括以下步驟：對所述偽襯底(610)進行拋光。

3.如權利要求1所述的方法，所述方法進一步包括以下步驟：對所述偽襯底(610)進行雙側拋光。

4.如權利要求1～3中任一項所述的方法，所述方法進一步包括以下步驟：對所述偽襯底(610)的邊緣進行斜切。

5.如權利要求1～3中任一項所述的方法，所述方法進一步包括以下步驟：在所述偽襯底(610)中切割平面或槽口。

6.如權利要求1～3中任一項所述的方法，其中，對于2英寸的直徑而言，所述薄切片(605)的厚度等于或小于300μm。

7.如權利要求1～3中任一項所述的方法，其中，所述單晶是或包含以下材料中的一種：硅基材料、鍺基材料、II-VI族或III-V族半導體材料、寬帶隙材料、藍寶石或壓電材料。

8.如權利要求1～3中任一項所述的方法，其中，所述單晶是或包含以下材料中的一種：硅基材料、鍺基材料、II-VI族或III-V族半導體材料、ZnO、藍寶石、LiNbO₃或LiTaO₃。

9.如權利要求1～3中任一項所述的方法，所述方法包括以下步驟：在所述偽襯底中或其上制造半導體器件。

10.如權利要求1～3中任一項所述的方法，所述方法進一步包括以下步驟：在已制得所述半導體器件后去除所述操作襯底(602)。