[發明專利]通過可移動納米基質多克隆刺激T細胞的方法

在審

• 申請號: 201380045752.3
• 申請日: 2013-09-24
• 公開（公告）號: CN104619831A
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發明（設計）人: A·舍福爾德;M·阿森馬赫爾
• 申請（專利權）人: 美天旎生物技術有限公司
• 主分類號: C12N5/0783
• 分類號: C12N5/0783;C12N5/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳文平;謝燕軍

1.納米基質用于體外多克隆刺激T細胞的用途，所述納米基質包含

a)可移動聚合物鏈基質，和

b)一種或多種為T細胞提供激活信號的連接到所述可移動聚合物鏈基質上的刺激劑；

其中所述納米基質的尺寸是1-500nm。

2.體外多克隆刺激T細胞的方法，所述方法包括將T細胞群與納米基質相接觸，所述納米基質包含

a)可移動聚合物鏈基質，和

b)一種或多種為T細胞提供激活信號的連接到所述可移動聚合物鏈基質上的刺激劑，從而激活并誘導T細胞增殖；

其中所述納米基質的尺寸是1-500nm。

3.根據權利要求2所述的方法，其中至少一種第一刺激劑和一種第二刺激劑連接至同一可移動聚合物鏈基質上。

4.根據權利要求2所述的方法，其中至少一種第一刺激劑和一種第二刺激劑連接至分別的可移動聚合物鏈基質上。

5.根據權利要求4所述的方法，其中納米基質與細胞的比例大于500:1，允許T細胞刺激的微調。

6.根據權利要求2-5任一項所述的方法，其中一種刺激劑是抗CD3抗體或其片段。

7.根據權利要求1-6任一項所述的方法，其中所述第二刺激劑是抗CD28抗體。

8.根據權利要求2-7任一項所述的方法，其中所述可移動聚合物鏈基質由葡聚糖聚合物組成。

9.根據權利要求2-8任一項所述的方法，其中所述納米基質攜帶有包埋于所述可移動聚合物鏈基質中的磁性、順磁性或超順磁性納米晶體。

10.根據權利要求2-9任一項所述的方法，其中所述刺激劑以大于25μg/mg納米基質的高密度連接。

11.根據權利要求2-10任一項所述的方法，其中所述被刺激的T細胞是Treg細胞。

12.在封閉細胞培養系統中多克隆刺激T細胞的方法，所述方法包括將所述封閉細胞培養系統內包含T細胞群的細胞培養物與一定劑量的納米基質接觸，所述納米基質包含

a)可移動聚合物鏈基質，和

b)一種或多種為T細胞提供激活信號的連接到所述可移動聚合物鏈基質上的刺激劑；

其中所述納米基質的尺寸是1-500nm，和

其中將所述劑量的納米基質無菌施加到所述封閉細胞培養系統，和

其中所述劑量取決于所述封閉細胞培養系統中細胞培養物的體積。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述細胞培養物的體積可以通過不影響無菌屏障的天平或相機系統測定。

14.根據權利要求12或13所述的方法，其中測定和施加所述劑量是自動進行的。

15.藥物組合物，其包含根據權利要求12-14所述的方法產生的受刺激的T細胞群。