[發明專利]包含絕熱材料的半導體裝置封裝以及制作及使用此類半導體封裝的方法

有效

• 申請號: 201380045685.5
• 申請日: 2013-07-09
• 公開（公告）號: CN104620375B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發明（設計）人: 史蒂文·格羅特斯;李健;羅時劍
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L23/373
• 分類號: H01L23/373;H01L23/12
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種半導體裝置封裝，其包括：

第一半導體裝置，其包括位于其一端上的熱產生區域；

第二半導體裝置，其附著到所述第一半導體裝置，所述熱產生區域的至少一部分橫向延伸超過所述第二半導體裝置的一端；及

絕熱材料，其至少部分地覆蓋所述第二半導體裝置的所述端；

其中所述絕熱材料的導熱率小于遠離所述第二半導體裝置的流動路徑中的材料的導熱率，所述流動路徑從所述半導體裝置的熱產生區域通向所述半導體裝置封裝外而不穿過所述第二半導體裝置。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中所述絕熱材料的所述導熱率為0.5W/m·K或更小。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中所述絕熱材料包括絕熱聚合物。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中所述絕熱材料包括包含不導電填料材料的絕熱聚合物。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其進一步包括在與所述第一半導體裝置附著到的側相對的側上附著到所述第二半導體裝置的額外半導體裝置，其中所述絕熱材料至少部分地覆蓋所述額外半導體裝置的一端。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置封裝，其進一步包括在與所述第二半導體裝置附著到的側相對的側上附著到所述額外半導體裝置的另一額外半導體裝置，其中所述絕熱材料至少部分地覆蓋所述另一額外半導體裝置的一端。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，所述流動路徑中的材料為至少部分地覆蓋所述第一及第二半導體裝置以及所述絕熱材料的導熱包覆模制物。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置封裝，其中所述導熱包覆模制物的導熱率為3.0W/m·K或更大。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中所述絕熱材料的厚度在0.1mm與0.5mm之間。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置封裝，其中所述絕熱材料的所述厚度為0.3mm。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中所述絕熱材料的高度為0.05mm或更大。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置封裝，其中所述絕熱材料的所述高度為80μm。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中位于所述第一半導體裝置的所述端上的所述熱產生區域包括在所述第一半導體裝置的多個端上的熱產生區域。

14.一種形成半導體裝置封裝的方法，其包括：

將第二半導體裝置附著到在其一端處包括熱產生區域的第一半導體裝置，其中所述熱產生區域的至少一部分橫向延伸超過所述第二半導體裝置的一端；及

用絕熱材料至少部分地覆蓋所述第二半導體裝置的所述端，所述絕熱材料顯示小于遠離所述第二半導體裝置的流動路徑中的材料的導熱率的導熱率，所述流動路徑從所述半導體裝置的熱產生區域通向所述半導體裝置封裝外而不穿過所述第二半導體裝置。

15.根據權利要求14所述的方法，其進一步包括提供包括0.5W/m·K或更小的導熱率的材料作為所述絕熱材料。

16.根據權利要求14所述的方法，其進一步包括：將額外半導體裝置在所述第二半導體裝置的與所述第一半導體裝置附著到的側相對的側上附著到所述第二半導體裝置，其中所述額外半導體裝置的一端與所述第二半導體裝置的所述端對準；及用所述絕熱材料至少部分地覆蓋所述額外半導體裝置的經對準的端。