[發(fā)明專(zhuān)利]SiC單晶體的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380045663.9
• 申請(qǐng)日: 2013-08-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104603336B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 加渡干尚;楠一彥;龜井一人
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 豐田自動(dòng)車(chē)株式會(huì)社;新日鐵住金株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): C30B29/36
• 分類(lèi)號(hào): C30B29/36;C30B19/10
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所11038
• 代理人: 金光華

1.一種SiC單晶體的制造方法，使晶種基板接觸被放入到坩堝內(nèi)且具有溫度從內(nèi)部朝向液面降低的溫度梯度的Si-C溶液，而晶體生長(zhǎng)SiC單晶體，其中，

所述坩堝在所述坩堝的上部具有蓋，所述坩堝的深度/內(nèi)徑小于1.71，

所述SiC單晶體的制造方法包括：

利用配置在所述坩堝的周?chē)募訜崞鳎瑢?duì)所述坩堝的側(cè)壁進(jìn)行加熱；以及

將從所述Si-C溶液的液面至液面下10mm的范圍的溫度梯度設(shè)為47℃/cm以上，

在晶體生長(zhǎng)SiC單晶體時(shí)，在所述晶種基板與所述Si-C溶液之間形成彎月面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC單晶體的制造方法，其特征在于，

所述溫度梯度是50℃/cm以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC單晶體的制造方法，其特征在于，

所述溫度梯度是57℃/cm以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的SiC單晶體的制造方法，其特征在于，

所述坩堝的深度/內(nèi)徑是1.14以下。