[發(fā)明專利]第III族氮化物半導體發(fā)光器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380045538.8
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN104603961A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設計）人: 門脅嘉孝;豐田達憲
• 申請（專利權）人: 同和電子科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/32
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種第III族氮化物半導體發(fā)光器件，其包括：

第一電極；

連接至所述第一電極的第一導電型第III族氮化物半導體層；

設置在所述第一導電型第III族氮化物半導體層上的發(fā)光層；

設置在所述發(fā)光層上的第二導電型第III族氮化物半導體層；

設置在所述第二導電型第III族氮化物半導體層上的包括未摻雜的第III族氮化物半導體層的緩沖層；和

包括多個獨立的接觸部并且電連接所述接觸部的第二電極，所述接觸部與通過除去所述緩沖層的一部分而露出的所述第二導電型第III族氮化物半導體層接觸，

所述第二電極的一部分設置在所述緩沖層上。

2.根據(jù)權利要求1所述的第III族氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述未摻雜的第III族氮化物半導體層是AlN層。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的第III族氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述第二電極包括所述接觸部、設置在所述緩沖層上的墊部、和連接所述接觸部和所述墊部的配線部。

4.根據(jù)權利要求3所述的第III族氮化物半導體發(fā)光器件，其進一步包括絕緣層，所述絕緣層位于所述第二電極的正下方，在所述第一導電型第III族氮化物半導體層面對所述第一電極的表面的一部分上。

5.一種第III族氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，所述方法包括：

(a)將含有未摻雜的第III族氮化物半導體層的緩沖層、第二導電型第III族氮化物半導體層、發(fā)光層和第一導電型第III族氮化物半導體層順序地形成在生長基板上的步驟；

(b)將第一電極形成在所述第一導電型第III族氮化物半導體層上的步驟；

(c)將所述生長基板除去從而露出所述緩沖層的步驟；

(d)將在步驟(c)中露出的所述緩沖層的一部分除去從而露出所述第二導電型第III族氮化物半導體層的一部分的步驟；和

(e)將第二電極連續(xù)形成在步驟(d)中露出的所述第二導電型第III族氮化物半導體層和所述緩沖層上的步驟，

所述第二電極包括多個獨立的接觸部并且電連接所述接觸部，所述接觸部與所述第二導電型第III族氮化物半導體層接觸。

6.根據(jù)權利要求5所述的第III族氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，其中所述未摻雜的第III族氮化物半導體層是AlN層。