[發明專利]發光二極管裝置在審
| 申請號: | 201380045351.8 | 申請日: | 2013-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN104781943A | 公開(公告)日: | 2015-07-15 |
| 發明(設計)人: | T·費希廷格;S·布倫納;O·德諾夫澤克;K-D·艾希霍爾策;G·克倫;A·佩西納;C·法伊施陶爾 | 申請(專利權)人: | 埃普科斯股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/64 | 分類號: | H01L33/64 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱君;劉春元 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 裝置 | ||
1.一種發光二極管裝置(1),其具有第一支承體(2)和布置在第一支承體(2)上的至少一個發光二極管芯片(3),其中
-第一支承體(2)具有至少第一和第二支承體部分(21,22),
-所述發光二極管芯片(3)僅鋪設在第一支承體(2)的第一支承體部分(21)上,
-第一和第二支承體部分(21,22)分別具有導熱能力,
-第一支承體部分(21)的導熱能力至少是第二支承體部分(22)的導熱能力的1.5倍,以及
-第一支承體(2)的第一支承體部分(21)被第一支承體(2)的第二支承體部分(22)從側面圍繞。
2.根據權利要求1所述的發光二極管裝置,其中,第一支承體部分(21)的導熱能力至少是第二支承體部分(22)的導熱能力的5倍。
3.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管裝置,其中,發光二極管裝置具有多個發光二極管芯片(3),其全部布置在第一支承體部分(21)上。
4.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管裝置,其具有第二支承體(4),該第二支承體具有至少第一和第二支承體部分(41,42),其中
-第二支承體(4)的第一和第二支承體部分(41,42)分別具有導熱能力,
-第二支承體(4)的第一支承體部分(41)的導熱能力至少是第二支承體(4)的第二支承體部分(42)的導熱能力的1.5倍,
-第一支承體(2)布置在第二支承體(4)上,以及
-第一支承體部分(21,41)彼此疊置地布置。
5.一種發光二極管裝置(1),具有:第一支承體(2),在所述第一支承體上布置有至少一個發光二極管芯片(3);以及第二支承體(4),在所述第二支承體上布置有所述第一支承體(2),其中
-第一和第二支承體(2,4)分別具有至少第一和第二支承體部分(21,41,22,42),
-所述發光二極管芯片(3)僅鋪設在第一支承體(2)的第一支承體部分(21)上,
-第一和第二支承體部分(21,41,22,42)分別具有導熱能力,以及,
其中
-第一支承體(2)的第一支承體部分(21)具有比第一支承體(2)的第二支承體部分(22)高的導熱能力,
-第二支承體(4)的第一支承體部分(41)具有比第二支承體(4)的第二支承體部分(42)高的導熱能力,以及
-第一支承體部分(21,42)彼此疊置地布置,
-第一支承體(2)的第一支承體部分(21)被第一支承體(2)的第二支承體部分(22)從側面圍繞,以及
-第二支承體(2)的第一支承體部分(21)被第二支承體(2)的第二支承體部分(22)從側面圍繞。
6.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管裝置,其中,第一支承體(2)具有在其上布置有所述發光二極管芯片(3)的第一表面(23)和與第一表面(23)對置的第二表面(24),其中,第一支承體(2)的第一支承體部分(21)從第一延伸至第二表面(23,24)。
7.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管裝置,其中,第一支承體(2)的第一支承體部分(21)具有熱通路(5),所述熱通路從第一支承體的其上布置有所述發光二極管芯片(3)的第一表面(23)延伸至第一支承體(2)的與所述第一表面(23)對置的第二表面(24)。
8.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管裝置,其中,第一支承體(2)的第一支承體部分(21)具有金屬塊(6)。
9.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管裝置,其中,第一支承體(2)的第一支承體部分(21)具有摻雜(7)。
10.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管裝置,其中,第一和/或第二支承體(2,4)具有ESD保護元件(8),并且所述ESD保護元件(8)實施為變阻器、硅半導體保護二極管或者聚合物ESD保護元件。
11.根據權利要求10所述的發光二極管裝置,其中,所述ESD保護元件(8)通過第一或第二支承體(2,4)的子區域形成。
12.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管裝置,其具有布置在第一和/或第二支承體(2,4)上的NTC熱敏電阻器件(91)和/或PTC熱敏電阻器件(92)。
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