[發明專利]PCBN中的二硼化鈦組合物

無效

• 申請號: 201380045338.2
• 申請日: 2013-08-23
• 公開（公告）號: CN104684670A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 尼爾森·葉
• 申請（專利權）人: 戴蒙得創新股份有限公司
• 主分類號: B23B27/02
• 分類號: B23B27/02;B23B27/14;C22C29/14;C22C29/16
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 吳潤芝;郭國清

1.一種PcBN壓坯體，包含：

立方氮化硼顆粒；和

將立方氮化硼顆粒結合在一起的粘結相，其中，所述粘結相包含二硼化鈦，其中將所述二硼化鈦限定為二硼化鈦(101)峰的XRD峰高，經背景校正之后，所述二硼化鈦(101)峰的XRD峰高為(111)cBN峰的峰高的至少約15％。

2.權利要求1所述的PcBN壓坯體，其中所述cBN壓坯包含按體積計至少約35％的cBN顆粒。

3.權利要求1所述的PcBN壓坯體，其中所述cBN壓坯包含按體積計約35％至約70％的cBN顆粒。

4.權利要求1-3中任一項所述的PcBN壓坯體，其中所述cBN顆粒具有至少約0.1μm的平均粒度分布(PSD)。

5.權利要求1-4中任一項所述的PcBN壓坯體，其中所述cBN顆粒的平均粒度分布(PSD)為約0.1μm至約5μm。

6.權利要求1-5中任一項所述的PcBN壓坯體，其中所述粘結相還包含碳化鈦、氮化鈦、碳氮化鈦中的至少一種。

7.權利要求1-6中任一項所述的PcBN壓坯體，所述鈦化合物在高壓高溫條件過程中形成。

8.權利要求1-7中任一項所述的PcBN壓坯體，其還包含余量的鋁化合物。

9.權利要求1-7中任一項所述的PcBN壓坯體，其中所述鋁化合物包括氮化鋁。

10.權利要求1-9中任一項所述的PcBN壓坯體，其中將所述二硼化鈦限定為二硼化鈦(101)峰的XRD峰高，經過背景校正后，所述二硼化鈦(101)峰的XRD峰高為(111)cBN峰的峰高的約15％至約40％。

11.權利要求1-10中任一項所述的PcBN壓坯體，其中所述二硼化鈦的XRD峰具有至少0.3度2θ的半高寬(FWHM)值。

12.一種PcBN壓坯體，其包含：

按體積計至少35％的立方氮化硼(cBN)顆粒，其中cBN顆粒的平均粒度分布(PSD)為約0.1μm至約5μm；和

將所述立方氮化硼顆粒結合在一起的粘結相，其中所述粘結相包括鈦化合物和余量的鋁化合物。

13.權利要求12所述的PcBN壓坯體，其中所述cBN壓坯包含按體積計約35％至約70％的cBN顆粒。

14.權利要求12-13中任一項所述的PcBN壓坯體，其中鈦化合物包括二硼化鈦。

15.權利要求12-14中任一項所述的PcBN壓坯體，其中將所述二硼化鈦限定為二硼化鈦(101)峰的XRD峰高，經背景校正之后，所述二硼化鈦(101)峰的XRD峰高為(111)cBN峰的峰高的至少約15％。

16.權利要求12-15中任一項所述的PcBN壓坯體，其中所述粘結相還包含碳化鈦、氮化鈦、碳氮化鈦中的至少一種。

17.權利要求12-16中任一項所述的PcBN壓坯體，其中在氮化鈦和cBN顆粒之間形成二溴化鈦。

18.權利要求12-17中任一項所述的PcBN壓坯體，其中所述鋁化合物包括氮化鋁。

19.權利要求12-18中任一項所述的PcBN壓坯體，其中將所述二硼化鈦限定為二硼化鈦(101)峰的XRD峰高，經過背景校正后，所述二硼化鈦(101)峰的XRD峰高為(111)cBN峰的峰高的約15％至約40％。