[發明專利]形成于全局隔離或局部隔離的襯底上的三維的鍺基半導體器件有效
| 申請號： | 201380045169.2 | 申請日： | 2013-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN104584227B | 公開（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發明（設計）人： | A·卡佩拉尼;P·保蒂;B·E·貝蒂;A·J·派特 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司72002 | 代理人： | 王英,陳松濤 |
| 地址： | 美國加*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 全局 隔離 局部 襯底 三維 半導體器件 | ||
【說明書】：
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