[發(fā)明專利]金屬化合物的濃縮方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380045023.8
• 申請日: 2013-09-02
• 公開（公告）號: CN104603307B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 明石孝也
• 申請（專利權(quán)）人: 學(xué)校法人法政大學(xué)
• 主分類號: C22B58/00
• 分類號: C22B58/00;C01G15/00;C22B5/10;C22B5/12;C22B7/00
• 代理公司: 北京智信四方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11519
• 代理人: 宋海龍

1.一種金屬化合物的濃縮方法，該方法包括：

加熱還原以第一金屬含有率含有選自鎵、銦、鍺、碲及銫中的金屬的第一固體金屬化合物的混合物中的所述第一固體金屬化合物，形成氣體金屬化合物的工序，以及

氧化所述氣體金屬化合物形成第二固體金屬化合物，以比所述第一金屬含有率高的第二金屬含有率捕集該第二固體金屬化合物的工序，

在還原所述第一固體金屬化合物形成氣體金屬化合物的工序中，在基于選自鎵、銦、鍺、碲及銫中的金屬的氣體金屬化合物的蒸氣壓所確定的溫度以及氧氣分壓下，加熱還原所述第一固體金屬化合物，形成氣體金屬化合物，

還原所述第一固體金屬化合物生成的所述氣體金屬化合物的蒸氣壓為1kPa以上，

氧化所述氣體金屬化合物形成第二固體金屬化合物的工序中，以通過氧化而生成的金屬化合物的蒸汽壓為所述氣體金屬化合物的蒸汽壓的1/10以下的溫度和氧氣分壓為條件。

2.如權(quán)利要求1所述的金屬化合物的濃縮方法，其中，在蒸發(fā)部中進(jìn)行還原所述第一固體金屬化合物形成所述氣體金屬化合物的工序，

具有將所述氣體金屬化合物從所述蒸發(fā)部移送到捕集部的工序，

在捕集部中進(jìn)行氧化所述氣體金屬化合物形成所述第二固體金屬化合物的工序。

3.如權(quán)利要求1或2所述的金屬化合物的濃縮方法，其中，在還原所述第一固體金屬化合物形成所述氣體金屬化合物的工序中，在所述第一固體金屬化合物與固體還原劑的混合物中、還原性氣體氣氛中、或還原性氣體氣氛中的所述第一固體金屬化合物與固體還原劑的混合物中，還原所述第一固體金屬化合物形成所述氣體金屬化合物。

4.如權(quán)利要求1所述的金屬化合物的濃縮方法，其中，

所述金屬為鎵。

5.如權(quán)利要求4所述的金屬化合物的濃縮方法，其中，

在還原所述第一固體金屬化合物形成所述氣體金屬化合物的工序中，還原所述第一固體金屬化合物，形成氣體Ga₂O，

在氧化所述氣體金屬化合物形成所述第二固體金屬化合物的工序中，氧化所述氣體Ga₂O，形成固體Ga₂O₃。

6.如權(quán)利要求1所述的金屬化合物的濃縮方法，其中，

所述金屬為銦。

7.如權(quán)利要求6所述的金屬化合物的濃縮方法，其中，

在還原所述第一固體金屬化合物形成所述氣體金屬化合物的工序中，還原所述第一固體金屬化合物，形成氣體In₂O，

在氧化所述氣體金屬化合物形成所述第二固體金屬化合物的工序中，氧化所述氣體In₂O，形成固體In₂O₃。