[發(fā)明專利]用于氧化硅類絕緣層的組成物及其制造方法、氧化硅類絕緣層及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380044747.0 | 申請日： | 2013-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN104620326B | 公開（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 尹熙燦;郭澤秀;金美英;林相學(xué);韓權(quán)愚;金古恩;金奉煥;金相均;羅隆熙;樸銀秀;裵鎮(zhèn)希;宋炫知;李漢松;洪承希 | 申請（專利權(quán)）人： | 第一毛織株式會社 |
| 主分類號： | H01B3/46 | 分類號： | H01B3/46;C08L83/08 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205 | 代理人： | 楊貝貝,臧建明 |
| 地址： | 韓國慶尙北道龜尾市*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 形成 氧化 絕緣 組成 制備 方法 制造 | ||
1.一種用于氧化硅類絕緣層的組成物，其特征在于，包括：
氫化聚硅氮烷或氫化聚硅氧氮烷，
其中重量平均分子量400以下的環(huán)狀化合物的濃度小于或等于1200ppm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于氧化硅類絕緣層的組成物，其中所述環(huán)狀化合物是選自環(huán)狀氫化硅氮烷、環(huán)狀氫化硅氧氮烷以及其混合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1項所述的用于氧化硅類絕緣層的組成物，其中所述環(huán)狀化合物為具有以下化學(xué)式1a至1f的結(jié)構(gòu)的化合物：
[化學(xué)式1a至1f]
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于氧化硅類絕緣層的組成物，其中所述氫化聚硅氮烷或所述氫化聚硅氧氮烷具有1,000至7,000的重量平均分子量。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于氧化硅類絕緣層的組成物，其中所述氫化聚硅氮烷或所述氫化聚硅氧氮烷的含量在0.1至50重量％范圍內(nèi)。
6.一種用于氧化硅類絕緣層的組成物的制造方法，其特征在于，包括：
共氨解(coammonolysis)鹵硅烷化合物以制備包括氫化聚硅氮烷或氫化聚硅氧氮烷的溶液；以及
在60至110℃下用芳族烴或醚的溶劑替代所述溶液的溶劑。
7.一種氧化硅類絕緣層，其是藉由使用如權(quán)利要求1至5中的任一項所述的包括所述氫化聚硅氧氮烷的用于氧化硅類絕緣層的組成物制造。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氧化硅類絕緣層，其中所述氧化硅類絕緣層具有小于或等于120nm的厚度分布范圍。
9.一種氧化硅類絕緣層的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上涂覆上述如權(quán)利要求1至5中的任一項所述的用于氧化硅類絕緣層的組成物；
干燥涂覆有所述用于氧化硅類絕緣層的組成物的所述基板；以及
在包括大于或等于200℃的水蒸氣的氣氛下固化所得物。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于第一毛織株式會社，未經(jīng)第一毛織株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380044747.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
