[發明專利]保護元件有效
| 申請號: | 201380044745.1 | 申請日: | 2013-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN104584176B | 公開(公告)日: | 2018-03-27 |
| 發明(設計)人: | 野村圭一郎;柴原信行;橫田貴之 | 申請(專利權)人: | 力特電子(日本)有限責任公司 |
| 主分類號: | H01H85/11 | 分類號: | H01H85/11;H01H85/06;H01H85/08;H01M2/34 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人: | 李逸雪 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保護 元件 | ||
1.一種保護元件,具有:
層狀要素,其由絕緣性樹脂形成,并具有未被填充的至少1個貫通開口部;
導電性金屬薄層,其位于層狀要素的各主表面上;以及
熔絲層,其位于對該貫通開口部的至少一個進行規定的側面上,將導電性金屬薄層電連接,并至少包含由高熔點金屬構成的第1金屬層以及由低熔點金屬構成的第2金屬層;
其中,低熔點金屬具有比絕緣性樹脂的分解溫度低的熔點,并且
導電性金屬薄層以及熔絲層通過對高熔點金屬以及低熔點金屬進行鍍覆而一體地形成。
2.根據權利要求1所述的保護元件,其特征在于,
熔絲層由高熔點金屬所構成的第1金屬層以及低熔點金屬所構成的第2金屬層構成。
3.根據權利要求1或2所述的保護元件,其特征在于,
高熔點金屬是Ni。
4.根據權利要求1所述的保護元件,其特征在于,
低熔點金屬是Sn、Sn-Cu合金、或者Sn-Bi合金。
5.根據權利要求1所述的保護元件,其特征在于,
第1金屬層通過對高熔點金屬進行無電解鍍而形成,第2金屬層通過在該第1金屬層上對低熔點金屬進行電解鍍而形成。
6.根據權利要求1所述的保護元件,其特征在于,
第1金屬層與第2金屬層的厚度之比為1:100~5:1。
7.根據權利要求1所述的保護元件,其特征在于,
所述保護元件還具有位于層狀要素與導電性金屬薄層之間的金屬箔。
8.根據權利要求7所述的保護元件,其特征在于,
金屬箔是鎳箔或者鍍鎳銅箔。
9.根據權利要求1所述的保護元件,其特征在于,
層狀要素是由內側周面以及外側周面規定的環狀要素,具有由內側周面規定的1個貫通開口部。
10.根據權利要求1所述的保護元件,其特征在于,
層狀要素是由內側周面和外側周面規定、具有至少2個貫通開口部的環狀要素,這些貫通開口部是由內側周面規定的中心貫通開口部以及位于內側周面與外側周面之間的至少1個周邊貫通開口部,周邊貫通開口部具有熔絲層。
11.根據權利要求10所述的保護元件,其特征在于,
在層狀要素中,圍繞中心貫通開口部每隔45°設置一個周邊貫通開口部而設置了8個周邊貫通開口部。
12.根據權利要求1所述的保護元件,其特征在于,
層狀要素具有圓環狀形狀。
13.一種電氣裝置,其特征在于,
所述電氣裝置具有權利要求1~12中任一項所述的保護元件。
14.一種二次電池單元,其特征在于,
所述二次電池單元具有權利要求1~12中任一項所述的保護元件。
15.一種墊片,具有:
層狀要素,其由絕緣性樹脂形成,并具有未被填充的至少1個貫通開口部;
導電性金屬薄層,其位于層狀要素的各主表面上;以及
熔絲層,其位于對該貫通開口部的至少1個進行規定的側面上,將導電性金屬薄層電連接,并包含熔點不同的至少2種金屬層;
其中,低熔點金屬具有比絕緣性樹脂的分解溫度低的熔點,并且
導電性金屬薄層以及熔絲層通過對高熔點金屬以及低熔點金屬進行鍍覆而一體地形成。
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