[發明專利]第III族氮化物結構

有效

• 申請號: 201380044365.8
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN104584241B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 佛德列克·卡爾頌;許志偉;安德司·倫德司庫
• 申請（專利權）人: 極光科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/24
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 蔡勝有,冷永華

1.一種第III族氮化物結構，包括至少一個具有含至少四條邊的底部的結構棱錐，其中所述結構棱錐包括具有含至少四條邊的底部的內棱錐，所述內棱錐由第一第III族氮化物制成，其中所述內棱錐覆蓋有由第二第III族氮化物制成的內部第一層和由第三第III族氮化物制成的外部第二層，其中所述第二第III族氮化物具有比所述第一第III族氮化物更窄的帶隙，和比所述第三第III族氮化物更窄的帶隙，

其中所述結構棱錐的所述底部被加長，導致產生至少一個各向異性量子點的上脊部，以及

其中獲得與所述各向異性量子點的所述上脊部的方向相關的平行的偏振光。

2.根據權利要求1所述的第III族氮化物結構，其中所述結構棱錐的所述底部在所述加長的方向上的長度比所述結構棱錐的所述底部的寬度長至少0.2μm。

3.根據權利要求2所述的第III族氮化物結構，其中所述結構棱錐的所述底部在所述加長的方向上的長度比所述結構棱錐的所述底部的寬度長至少0.8μm。

4.根據前述權利要求中任一項所述的第III族氮化物結構，其中所述上脊部的寬度等于或小于300nm。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的第III族氮化物結構，其中所述上脊部的長度大于所述上脊部的寬度。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的第III族氮化物結構，其中所述結構棱錐和所述內棱錐的每一個均具有六邊形底部。

7.根據權利要求1-3中任一項所述的第III族氮化物結構，還包括所述第一第III族氮化物的底層，所述底層上設置有所述至少一個結構棱錐。

8.根據權利要求7所述的第III族氮化物結構，其中至少一個結構棱錐的加長的底部的縱向方向取向為所述底層的所述第III族氮化物的方向，或者相對于所述底層的所述第III族氮化物的方向旋轉30°、60°、90°、120°、150°或180°。

9.根據權利要求8所述的第III族氮化物結構，其中至少一個結構棱錐的所述加長的底部的縱向方向取向為所述底層的所述第III族氮化物的方向，或相對于所述底層的所述第III族氮化物的方向旋轉60°、120°或180°。

10.一種用于制造第III族氮化物結構的方法，包括

設置基板；

在所述基板上設置掩膜，所述掩膜包括至少一個加長的孔；

在所述基板上生長第一第III族氮化物，從而在所述至少一個加長的孔的位置處獲得由所述第一第III族氮化物制成并且具有含至少四條邊的底部的內棱錐；

在所述第一第III族氮化物上沉積第二第III族氮化物的內部第一層；

在所述第二第III族氮化物上沉積第三第III族氮化物的外部第二層；

其中所述第二第III族氮化物具有比所述第一第III族氮化物更窄的帶隙，和比所述第三第III族氮化物更窄的帶隙，

由此在所述至少一個加長的孔的位置處獲得具有加長的底部的至少一個結構棱錐，所述加長的底部具有至少四條邊，并由此所述至少一個結構棱錐具有上脊部，該上脊部具有至少一個各向異性量子點，以及

其中獲得與所述各向異性量子點的所述上脊部的方向相關的平行的偏振光。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述加長的孔在加長的方向上的長度比所述加長的孔的寬度長至少0.2μm。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述加長的孔在加長的方向上的長度比所述加長的孔的寬度長至少0.8μm。

13.根據權利要求10至12中任一項所述的方法，其中在所述基板上生長所述第一第III族氮化物直至在沉積所述第一層和第二層后，所述上脊部的寬度等于或小于300nm。

14.根據權利要求10至12中任一項所述的方法，其中所述加長的孔呈由矩形連接的兩個半圓的形式，其中所述矩形的寬度等于所述半圓的直徑并且所述矩形的長度大于0。

15.根據權利要求10至12中任一項所述的方法，還包括在所述基板上生長所述第一第III族氮化物的底層的步驟，在所述底層上設置所述掩膜并且在所述底層上生長所述第一第III族氮化物；在所述基板上設置掩膜之前實施所述步驟。