[發明專利]光電子裝置有效
| 申請號: | 201380044350.1 | 申請日: | 2013-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN104541380B | 公開(公告)日: | 2017-03-22 |
| 發明(設計)人: | H.哈爾布里特 | 申請(專利權)人: | 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/0203 | 分類號: | H01L31/0203;H01L31/0232;H01L31/167;H03K17/94;G01S17/02;G01S7/481 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 張濤,劉春元 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電子 裝置 | ||
1.光電子裝置(1),具有被設置用于接收輻射的探測器和框架(3),其中
-在該框架中構造有開口(30),所述探測器布置在該開口中;
-該框架在豎直方向上在輻射透射側(300)和背側(301)之間伸展;
-所述開口具有傾斜于豎直方向延伸的側面(4);
-該傾斜延伸的側面在輻射透射側的俯視圖中具有第一部分區域(41)和第二部分區域(42);
-第一部分區域被構造為用于待由所述探測器接收的輻射的反射器;以及
-第二部分區域將沿著豎直方向投射到第二部分區域的輻射偏轉離開所述探測器。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述第一部分區域至少局部拋物面地成形。
3.根據權利要求1或2所述的裝置,其中,所述第二部分區域在所述輻射透射側和下邊緣(421)之間伸展,其中所述下邊緣在豎直方向上與所述背側隔有距離。
4.根據權利要求3所述的裝置,其中,所述開口在所述下邊緣和所述背側之間具有側凹區域(422)。
5.根據上述權利要求之一所述的裝置,其中,在所述輻射透射側的俯視圖中延伸穿過所述探測器的中心線(30)將第一部分區域與第二部分區域分開。
6.根據上述權利要求之一所述的裝置,其中,所述開口在所述輻射透射側上比在所述背側上具有更小的橫截面。
7.根據上述權利要求之一所述的裝置,其中,該裝置具有連接載體(5),該連接載體與所述框架的背側連接并且安裝在所述探測器上。
8.根據權利要求7所述的裝置,其中,在橫向方向上,所述框架至少局部地與所述連接載體平齊地結束。
9.根據權利要求7或8所述的裝置,其中,所述連接載體是電路板。
10.根據上述權利要求之一所述的裝置,其中,該裝置具有被設置用于產生輻射的發射器(25),該發射器布置在所述框架的另外的開口(32)中。
11.根據權利要求10所述的裝置,其中,所述另外的開口的側面(45)至少局部地拋物面地成形。
12.根據權利要求10或11所述的裝置,其中,在該裝置的俯視圖中第一部分區域比第二部分區域更加接近所述發射器。
13.根據權利要求10至12之一所述的裝置,其中,該裝置被構造為接近傳感器。
14.根據上述權利要求之一所述的裝置,其中,所述框架被構造為塑料成形體。
15.根據權利要求1至4之一所述的裝置,其中,
-在輻射透射側的俯視圖中延伸穿過所述探測器的中心線(30)將第一部分區域(41)與第二部分區域(42)分開;
-該裝置具有被設置用于產生輻射的發射器(25),該發射器布置在所述框架的另外的開口(32)中;以及
-第一部分區域布置在所述中心線的朝向所述發射器的一側上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





