[發明專利]有機的發光二極管和用于運行有機的發光二極管的方法有效
| 申請號: | 201380044294.1 | 申請日: | 2013-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN104641468B | 公開(公告)日: | 2017-12-01 |
| 發明(設計)人: | 丹尼爾·斯特芬·塞茨 | 申請(專利權)人: | 歐司朗OLED股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,張春水 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 用于 運行 方法 | ||
1.一種有機的發光二極管(1),具有:
-能透過輻射的載體(2);
-設置用于產生輻射的至少一個有機的有源層(3),所述有源層安置在所述載體(2)上,和
-多個液體透鏡(4),所述液體透鏡安置在所述載體(2)上,
其中
-在所述有源層(3)關斷的狀態下,有機的所述發光二極管(1)對于可見光具有至少0.55的透射度并且是透視的,
-在所述有源層(3)接通的狀態下,所述液體透鏡(4)構建成用于提高出自所述發光二極管(1)的輻射的光耦合輸出效率并且所述發光二極管(1)是渾濁的,并且
-所述液體透鏡(4)在所述有源層(3)的兩側安置在所述載體(2)上,其中所述液體透鏡不僅位于所述載體(2)的背離所述有源層的一側上而且位于所述有源層(3)的背離所述載體(2)的一側上。
2.根據權利要求1所述的有機的發光二極管(1),其中所述液體透鏡(4)的至少一部分位于所述有源層(3)的背離所述載體(2)的一側上。
3.根據權利要求1所述的有機的發光二極管(1),其中所述液體透鏡(4)具有10μm和500μm之間的平均寬度(W),并且所述液體透鏡(4)的平均厚度(T)在10μm和250μm之間,其中包括邊界值。
4.根據權利要求1至3中的任一項所述的有機的發光二極管(1),其中所述液體透鏡(4)具有由能透過輻射的材料制成的電極(41,42)。
5.根據權利要求1至3中的任一項所述的有機的發光二極管(1),其中所述液體透鏡(4)在俯視圖中觀察覆蓋所述有源層(3)的至少80%。
6.一種有機的發光二極管(1),具有:
-能透過輻射的載體(2),
-設置用于產生輻射的至少一個有機的有源層(3),所述有源層安置在所述載體(2)上,和
-多個液體透鏡(4),所述液體透鏡安置在所述載體(2)上,
其中
-在所述有源層(3)關斷的狀態下,有機的所述發光二極管(1)對于可見光具有至少0.55的透射度并且是透視的,
-在所述有源層(3)接通的狀態下,所述液體透鏡(4)構建成用于提高出自所述發光二極管(1)的輻射的光耦合輸出效率并且所述發光二極管(1)是渾濁的,并且
-所述液體透鏡(4)具有折射率彼此不同的兩種彼此疊置分層的液體(43,44),其中折射率較高的所述液體(43)與所述載體(2)相比距所述有源層(3)更近并且具有更大的折射率。
7.根據權利要求6所述的有機的發光二極管(1),其中所述液體(43,44)在俯視圖中觀察的并且以所述有源層(3)面積計的面積份額為至少60%。
8.根據權利要求1至3中的任一項所述的有機的發光二極管(1),其中位于背離所述有源層(3)的一側上的電極(42)至少局部地平行于所述有源層(3)定向。
9.根據權利要求1至3中的任一項所述的有機的發光二極管(1),其中所述液體透鏡(4)在橫向上相鄰地并且規則地設置成矩陣,其中所述矩陣的面積為至少50cm2。
10.根據權利要求1至3中的任一項所述的有機的發光二極管(1),其中相鄰的液體透鏡(4)之間的區域在俯視圖中觀察至少部分是能透過輻射的。
11.根據權利要求1至3中的任一項所述的有機的發光二極管(1),其中所述液體透鏡(4)在俯視圖中觀察不構成為是圓形的。
12.一種用于運行有機的發光二極管(1)的方法,有機的所述發光二極管具有:能透過輻射的載體(2);設置用于產生輻射的至少一個有機的有源層(3),所述有源層安置在所述載體(2)上;和多個液體透鏡(4),所述液體透鏡安置在所述載體(2)上,其中在所述有源層(3) 關斷的狀態下,有機的所述發光二極管(1)對于可見光具有至少0.55的透射度并且是透視的,并且在所述有源層(3)接通的狀態下,所述液體透鏡(4)構建成用于提高出自所述發光二極管(1)的輻射的光耦合輸出效率并且所述發光二極管(1)是渾濁的,并且其中所述方法的特征在于,至少暫時控制所述液體透鏡(4),使得所述液體透鏡在有源層(3)接通的狀態下具有至多50mm的平均曲率半徑,并且在所述有源層(3)關斷的狀態下具有至少100mm的平均曲率半徑。
13.根據權利要求12所述的方法,
其中在所述有源層運行時至少暫時地借助于彼此不同的平均曲率半徑來控制所述有源層(3)的不同側上的所述液體透鏡(4)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





