[發明專利]芳族聚酰胺-聚四氟乙烯復合片材、該片材的制備方法及使用該片材的高頻裝置有效
| 申請號: | 201380044089.5 | 申請日: | 2013-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN104582961A | 公開(公告)日: | 2015-04-29 |
| 發明(設計)人: | 成瀨新二;藤森龍士;近藤千尋 | 申請(專利權)人: | 杜邦帝人先進紙(日本)有限公司 |
| 主分類號: | B32B27/34 | 分類號: | B32B27/34;B32B27/12;B32B27/30;H05K1/03 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張桂霞;龐立志 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚酰胺 聚四氟乙烯 復合 該片 制備 方法 使用 高頻 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及機械特性、電氣絕緣性、介電特性、液體含浸性等優異,適合用作在高溫下可使用或進行工作的高頻裝置的絕緣部件的新型芳族聚酰胺-聚四氟乙烯復合片材。
背景技術
在處理高頻信號的變換器、印制基板、移動無線通信等高頻裝置中,為了進行高頻信號的轉換,在絕緣部件中需要減小通過下式所表示的介電損耗(熱損耗)?P的產生。因此,要求低介電常數和低介電損耗角正切的絕緣部件。
此處,E為電壓,tanδ為物質的介電損耗角正切,f為頻率,ε0為真空的介電常數,εr為物質的介電常數(介電常數),S為電極的面積,d為電極間距。
另一方面,為了高頻信號的轉換使用半導體,但近年來碳化硅、氮化鎵等高溫工作功率半導體的開發日趨活躍,分別根據半導體開關電路的使用條件等,要求合適的變化特性或水平等。
但是,在絕緣部件中,未必能夠充分應對近年來的高頻裝置的日益高效率化、大容量化和小型化(compact)。
在要求高效率和大容量的發電機、電動機、變換器、換流器、印制基板等高頻裝置的絕緣部件中,需要同時滿足以下4種特性:
1)?介電常數和介電損耗角正切低(低介電性);
2)?高的耐電壓;
3)?具有機械強度;以及
4)?充分含浸自動機械潤滑油等的潤滑劑。
特別是認為在高溫的狀態下滿足上述4種特性在充分發揮高溫工作有效的功率半導體的特性的意義下極其重要。
發明內容
本發明的目的在于:提供一種能夠勝任在高溫下可使用或進行工作的高頻裝置的高效率化·大容量化的低介電絕緣片材。
本發明人鑒于這樣的情況,為了開發能夠勝任高頻裝置的高效率化·大容量化的低介電絕緣片材而進行了深入研究,結果達成本發明。
在第1實施方式中,本發明提供一種芳族聚酰胺-聚四氟乙烯復合片材,其特征在于,所述片材是由含有芳族聚酰胺沉析纖維和芳族聚酰胺短纖維的片材與在上述片材的面方向成為層狀的聚四氟乙烯層形成并經煅燒加工的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯復合片材,空隙率為30%以上且厚度為150μm以下。
在第2實施方式中,本發明提供第1實施方式所記載的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯復合片材,其中,200℃的介電常數和介電損耗角正切相對于測定頻率的增加而顯示減少趨勢。
在第3實施方式中,本發明提供第1實施方式或第2實施方式所記載的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯復合片材,其中,100℃的介電常數與25℃的介電常數的比值、或200℃的介電常數與25℃的介電常數的比值為0.9~1.1。
在第4實施方式中,本發明提供第1~3實施方式中任一項所記載的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯復合片材的制備方法,其特征在于,將在由芳族聚酰胺沉析纖維和芳族聚酰胺短纖維通過濕式抄制法所制備的片材上涂布有聚四氟乙烯微粒分散體的片材進行壓延加工后,進行煅燒加工。
在第5實施方式中,本發明提供一種高頻裝置,其特征在于,使用第1~3實施方式中任一項所記載的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯復合片材作為絕緣部件。
在第6實施方式中,本發明提供一種發電機,其特征在于,使用第1~3實施方式中任一項所記載的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯復合片材作為絕緣部件。
在第7實施方式中,本發明提供一種電動機,其特征在于,使用第1~3實施方式中任一項所記載的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯復合片材作為絕緣部件。
在第8實施方式中,本發明提供一種變換器,其特征在于,使用第1~3實施方式中任一項所記載的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯復合片材作為絕緣部件。
在第9實施方式中,本發明提供一種換流器,其特征在于,使用第1~3實施方式中任一項所記載的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯復合片材作為絕緣部件。
在第10實施方式中,本發明提供一種印制基板,其特征在于,使用第1~3實施方式中任一項所記載的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯復合片材作為絕緣部件。
具體實施方式
(芳族聚酰胺)
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