[發明專利]在存儲器中使用參考位線

有效

• 申請號: 201380044069.8
• 申請日: 2013-06-18
• 公開（公告）號: CN104541329B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: C.W.哈
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C5/14
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 臧永杰,徐紅燕

技術領域

本主題涉及半導體存儲器，并且更具體地，涉及控制存儲器的訪問。

背景技術

許多類型的半導體存儲器在本領域中是已知的。一種類型的存儲器是閃速存儲器，其在存儲器單元的電荷存儲區中存儲電荷。基于金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的閃速單元的電壓閾值可以通過改變被存儲在單元的電荷存儲區中的電荷量來改變，并且電壓閾值可以用于指示被存儲在閃速單元中的值。通過跨閃速單元提供閃速單元的兩個不同狀態的電壓閾值之間的電壓，閃速單元的狀態可以通過測量流過閃速單元的電流來確定。閃速單元具有比關斷電流高得多的接通電流。常用于閃速存儲器的一個架構是NAND架構。在NAND架構中，兩個或更多存儲器單元一起耦合成串，其中單獨單元控制線耦合到字線。NAND串可以在NAND串的一端處耦合到位線。

另一類型的存儲器是相變存儲器（PCM）。PCM利用具有不導電非晶態和導電晶態的相變材料。可以將PCM單元置于一個狀態或另一狀態以指示所存儲的值。通過跨PCM單元提供電壓電勢，PCM單元的狀態可以通過測量流過PCM單元的電流來確定。PCM單元具有比關斷電流高得多的接通電流。

許多類型的存儲器（包括閃速存儲器和PCM）可以將存儲器單元組織成具有控制線的陣列，所述控制線可以在‘X’和‘Y’方向二者上跨過陣列。雖然這些控制線可以具有許多不同的名稱，但是它們可以通常被稱為字線和位線。控制線可以相當長并且具有高電阻和電容，這是由于它們的長度和耦合到線的存儲器單元的數目所致。

附圖說明

被合并在說明書中并且構成說明書的部分的附圖圖示了各種實施例。連同一般描述，附圖用于解釋各種原理。在附圖中：

圖1A是存儲器的實施例的框圖；

圖1B是用于存儲器的控制電路的實施例的框圖；

圖2A和2B是在存儲器的實施例中的各種線的時序圖；

圖3是用于訪問存儲器的方法的實施例的流程圖；以及

圖4是電子系統的實施例的框圖。

具體實施方式

在以下詳細描述中，通過示例闡述大量特定細節以便提供相關教導的透徹理解。然而，對本領域技術人員而言應當顯而易見的是，本教導可以在沒有這樣的細節的情況下實踐。在其它實例中，已經以相對高層級、在沒有細節的情況下描述了眾所周知的方法、過程和組件，以便避免不必要地使本概念的各方面模糊。在描述本公開的各種實施例中使用許多描述性術語和短語。這些描述性術語和短語被用于向本領域技術人員傳達一般達成一致的含義，除非在本說明書中給出不同的定義。現在對附圖中圖示的和在下文討論的示例做出詳細參考。

圖1A是存儲器100的實施例的框圖。存儲器100可以包括諸如位線110和附加位線120之類的各種導體（conductor）。盡管術語“位線”一般為本領域技術人員所理解，但是在一些技術中可以使用其它名稱。如術語在本文中和權利要求中所使用的那樣，位線可以指耦合到兩個或更多存儲器單元的任何導體，其可以用于感測被耦合到該線的存儲器單元之一的狀態。位線110、120可以是存儲器陣列的部分。位線110、120可以分別耦合到兩個或更多存儲器單元，諸如耦合到位線110的存儲器單元111-118。在一些實施例中，存儲器單元111-118可以單獨地耦合到位線110，但是其它實施例可以具有被布置為NAND架構中的串的多個存儲器單元，其中串在串的一端處耦合到位線。存儲器單元111-118可以沿位線110分布，使得一些存儲器單元111-118比其它的更接近感測節點151。在所示的示例中，存儲器單元111最接近感測節點151并且存儲器單元118最遠離感測節點151。存儲器單元111-118還可以耦合到地并且可以具有導電狀態和不導電狀態，使得如果存儲器單元處于導電狀態，則位線110上的電荷可以通過存儲器單元排出到地。如果存儲器單元布置成NAND串，則NAND串的一端可以耦合到地，其中如果串的所有存儲器單元導電，則該串導電。可以提供諸如字線141之類的附加存儲器控制線以從耦合到位線110的存儲器單元111-118選擇存儲器單元。