[發明專利]化合物太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請號: 201380043997.2
• 申請日: 2013-06-18
• 公開（公告）號: CN104603957B
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發明（設計）人: 寺地誠喜;河村和典;西井洸人;渡邊太一;山本祐輔
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/0749
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,李茂家

1.一種化合物太陽能電池，其特征在于，其為在基板上具備由I-III-VI族化合物半導體形成的化合物光吸收層、緩沖層和表面電極層的化合物太陽能電池，所述化合物光吸收層與緩沖層之間設置有由下述通式(1)所示組成的混晶形成的界面層，并且所述緩沖層為下述通式(2)所示組成的混晶，

Zn(O_x，S_1-x)…(1)

其中，X為0.9<X≤1，

Zn(O_Y，S_1-Y)…(2)

其中，Y為0.5≤Y<1。

2.一種化合物太陽能電池，其特征在于，其為在基板上具備由I-III-VI族化合物半導體形成的化合物光吸收層、緩沖層和表面電極層的化合物太陽能電池，所述化合物光吸收層與緩沖層之間設置有由下述通式(1)所示組成的混晶形成的界面層，并且所述緩沖層為下述通式(3)所示組成的混晶，

Zn(O_x，S_1-x)…(1)

其中，X為0.9<X≤1，

(Zn_z，Mg_1-z)O…(3)

其中，Z為0.5≤Z<1。

3.根據權利要求1或2所述的化合物太陽能電池，其中，在上述基板上直接具備上述化合物光吸收層。

4.根據權利要求1或2所述的化合物太陽能電池，其中，在上述基板與上述化合物光吸收層之間，具備背面電極層。

5.根據權利要求1或2所述的化合物太陽能電池，其中，在上述基板與上述化合物光吸收層之間，依次具備阻擋層和背面電極層。

6.根據權利要求1或2所述的化合物太陽能電池，其中，在上述基板與上述化合物光吸收層之間，依次具備背面電極層和阻擋層。

7.一種化合物太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述化合物太陽能電池在基板上具備由I-III-VI族化合物半導體形成的化合物光吸收層、緩沖層和表面電極層，該方法具備如下工序：一邊使長條狀基板沿縱向方向移動，一邊在所述基板上形成由I-III-VI族化合物半導體形成的化合物光吸收層的工序；形成界面層的工序；形成緩沖層的工序；和形成表面電極層的工序，在真空下依次連續進行各工序，

所述界面層為下述通式(1)所示組成的混晶，所述緩沖層為下述通式(2)所示組成的混晶，

Zn(O_x，S_1-x)…(1)

其中，X為0.9<X≤1，

Zn(O_Y，S_1-Y)…(2)

其中，Y為0.5≤Y<1。

8.一種化合物太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述化合物太陽能電池在基板上具備由I-III-VI族化合物半導體形成的化合物光吸收層、緩沖層和表面電極層，該方法具備如下工序：一邊使長條狀基板沿縱向方向移動，一邊在所述基板上形成由I-III-VI族化合物半導體形成的化合物光吸收層的工序；形成界面層的工序；形成緩沖層的工序；和形成表面電極層的工序，在真空下依次連續進行各工序，

所述界面層為下述通式(1)所示組成的混晶，所述緩沖層為下述通式(3)所示組成的混晶，

Zn(O_x，S_1-x)…(1)

其中，X為0.9<X≤1，

(Zn_z，Mg_1-z)O…(3)

其中，Z為0.5≤Z<1。