[發(fā)明專利]可用于純化硅的定向凝固中的熔劑組合物在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380043942.1 | 申請(qǐng)日： | 2013-06-25 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104619638A | 公開(kāi)（公告）日： | 2015-05-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張春暉;阿蘭·杜爾納;克里斯坦·阿爾弗萊德 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 希利柯?tīng)柌牧瞎煞萦邢薰?/a> |
| 主分類號(hào)： | C01B33/037 | 分類號(hào)： | C01B33/037;C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人： | 王達(dá)佐;安佳寧 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 純化 定向 凝固 中的 熔劑 組合 | ||
1.組合物，其包含：
(a)二氧化硅(SiO2)；
(b)碳酸鈉(Na2CO3)；
(c)任選的氧化鈣(CaO)；和
(d)氟化鈣(CaF2)和氯化鈣(CaCl2)中的至少一種。
2.如權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述二氧化硅以所述組合物的約35重量％至約80重量％存在。
3.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的組合物，其中所述碳酸鈉以所述組合物的約40重量％至約60重量％存在。
4.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的組合物，其中所述碳酸鈉以所述組合物的約40重量％至約55重量％存在。
5.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的組合物，其中不存在氧化鈣。
6.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的組合物，其中所述氟化鈣以所述組合物的約0.50重量％至約6.00重量％存在。
7.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的組合物，其中所述氯化鈣以所述組合物的約4.00重量％至約6.00重量％存在。
8.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的組合物，其中所述氟化鈣和所述氯化鈣兩者都存在于所述組合物中。
9.方法，其包括：
(a)由硅和熔劑形成熔融液體，所述熔劑包含權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的組合物；
(b)在所述熔融液體中由所述熔劑和雜質(zhì)形成熔渣；以及
(c)任選地從所述熔融液體中去除至少一部分的所述熔渣，以提供純化的熔融液體。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其為用于純化硅的方法。
11.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其從鋁中純化硅。
12.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其提供具有至少約99.5重量％的鋁減少量的硅。
13.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其提供包含少于約10ppmw的鋁的硅。
14.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其從硼中純化硅。
15.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其從鋁和硼中純化硅。
16.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中形成所述熔融液體的所述硅包括冶金級(jí)(MG)硅。
17.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中形成所述熔融液體的所述硅包括太陽(yáng)能級(jí)(SOG)硅。
18.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中形成所述熔融液體的所述硅包括從硅純化過(guò)程中回收利用的硅。
19.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中由所述硅和所述熔劑形成所述熔融液體，使得最初形成硅的熔融液體，然后將所述熔劑添加到所述熔融硅中。
20.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中由所述硅和所述熔劑形成所述熔融液體，使得最初使固體硅與所述熔劑接觸，然后將它們一起加熱以形成所述熔融液體。
21.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中在至少約1450℃的溫度下形成所述熔融液體。
22.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中在高于固相線溫度的溫度下形成所述熔融液體。
23.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述熔渣包含所述熔劑和來(lái)自所述硅的雜質(zhì)的反應(yīng)產(chǎn)物。
24.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述熔渣包含來(lái)自所述硅的雜質(zhì)。
25.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中熔渣形成于所述熔融液體的表面上。
26.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中熔渣形成于所述熔融液體的表面上，然后將熔渣從所述熔融液體中去除。
27.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其還包括(d)定向凝固所述純化的熔融液體以形成固體硅。
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