[發明專利]包括光學隔離器的激光掃描模塊有效
| 申請號: | 201380043531.2 | 申請日: | 2013-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN104603667B | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發明(設計)人: | 拉馬·R·格魯剛休 | 申請(專利權)人: | 超威半導體公司 |
| 主分類號: | G02B21/00 | 分類號: | G02B21/00 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所31263 | 代理人: | 樊英如,李獻忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 光學 隔離器 激光 掃描 模塊 | ||
發明背景
本申請是2009年12月9日提交的系列號為12/653,235的名稱為“光學隔離模塊及其使用方法(Optical Isolation Module and Method for Utilizing the Same)”的未決主申請的部分接續案,并且要求該主申請的申請日期的權益,并且特此完整地結合該主申請以作參考。
半導體制造中廣泛地使用激光掃描顯微鏡。例如,可以使用激光掃描顯微鏡來執行軟缺陷的定位,其中在制造出的半導體裝置中檢測軟缺陷,諸如時序邊際性。軟缺陷的定位通常要利用激光器來掃描接受測試的半導體裝置的一些區域。隨著現代半導體裝置的尺寸不斷變小,隔離各個裝置特征件以便進行軟缺陷分析所需要的分辨率也相應地變高。
通過采用固體浸沒透鏡(solid immersion lens,SIL)使用暗場顯微鏡方法,可以實現半導體裝置的高分辨率成像。為了用這種方法實現最小的裝置尺寸所需要的成像分辨率,入射在目標上的成像光應當是超臨界光,能夠在遮罩著目標的半導體材料內產生消逝場。此外,可能必須收集沿著SIL的中央軸或者靠近SIL的中央軸從目標散射的光。因此,如下的一種激光掃描模塊是用于激光掃描顯微鏡的期望特征件:能夠使用光學隔離器產生超臨界光以掃描目標,同時能夠收集這個目標散射的光。
發明內容
本發明是針對一種包括光學隔離器的激光掃描模塊,將結合各圖中的至少一個圖示出和/或說明該激光掃描模塊,并且在權利要求書中更完整地闡述該激光掃描模塊。
附圖簡述
圖1示出了激光掃描顯微鏡系統的圖,該激光掃描顯微鏡系統包括一個包括光學隔離器的激光掃描模塊的示例性實施方案。
圖2示出了提呈一種用于執行激光掃描顯微檢查的方法的一個示例性實施方案的流程圖。
圖3示出了示例性激光掃描顯微鏡系統的一部分的圖,通過實施該示例性激光掃描顯微鏡系統來執行暗場顯微檢查,該示例性激光掃描顯微鏡系統包括圖1的示例性激光掃描模塊。
圖4示出了提呈一種執行光學隔離作為激光掃描顯微檢查過程的一部分的方法的一個示例性實施方案的流程圖。
圖5A是示出了根據一個示例性實施方案的圖3的激光掃描模塊的一部分在圖4中示出的示例方法的早期階段的圖。
圖5B是示出了根據一個示例性實施方案的圖3的激光掃描模塊的一部分在圖4中示出的示例方法的中間階段的圖。
圖5C是示出了根據一個示例性實施方案的圖3的激光掃描模塊的一部分在圖4中示出的示例方法的另一個中間階段的圖。
具體實施方式
下面的說明中包括一些與本公開中的實施方案有關的具體信息。本申請中的圖式及其附隨的詳細說明,僅僅是針對示例性實施方案。除非另有注明,否則各圖中的相同或相應的元件可以用相同或相應的參考標號來表示。而且,本申請中的圖式和圖解說明總體上并不是按比例的,并且無意于對應實際的相對尺寸。
圖1是一個激光掃描顯微鏡系統的圖,該激光掃描顯微鏡系統包括一個包括光學隔離器的激光掃描模塊的示例性實施方案。激光掃描顯微鏡系統100包括:激光光源101,激光光源101產生光102用于給目標160成像;物鏡150;以及激光掃描模塊110,其位于激光光源101與物鏡150之間。圖示的激光掃描模塊110包括光學隔離器120和掃描單元140。應注意,雖然為了概念上清晰起見,將掃描單元140描繪成一個集成塊組件或單元,但是掃描單元140可以包括多個內部特征件,例如,諸如檢流式掃描儀(包括掃描鏡),和一或多個掃描透鏡(圖1中未如此示出鏡和透鏡)??梢詫嵤┘す鈷呙栾@微鏡系統100,對目標160執行軟缺陷分析,目標160可以采用在半導體晶片或芯片上制造的集成電路(IC)的形式。
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