[發(fā)明專(zhuān)利]熔斷器

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380043450.2
• 申請(qǐng)日: 2013-07-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104584175A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 番場(chǎng)真一郎;酒井范夫
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類(lèi)號(hào): H01H85/11
• 分類(lèi)號(hào): H01H85/11;H01H85/02
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 張?chǎng)?/td>

1.一種熔斷器，其特征在于，包括：

絕緣性基板；

布線，該布線配置在所述絕緣性基板的一個(gè)主面上；

低熔點(diǎn)金屬部，該低熔點(diǎn)金屬部設(shè)置在所述布線上，具有比所述布線低的熔點(diǎn)，并且在變成熔液時(shí)使所述布線熔化；以及

發(fā)熱體，該發(fā)熱體對(duì)所述低熔點(diǎn)金屬部進(jìn)行加熱，

在俯視時(shí)，所述發(fā)熱體設(shè)置在相比于配置有所述低熔點(diǎn)金屬部的區(qū)域在所述布線的延伸方向上的一側(cè)端部更靠另一側(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的熔斷器，其特征在于，

在俯視時(shí)，所述發(fā)熱體設(shè)置成從相比于配置有所述低熔點(diǎn)金屬部的區(qū)域在所述布線的延伸方向上的一側(cè)端部更靠另一側(cè)起，直到相比于配置有所述低熔點(diǎn)金屬部的區(qū)域在所述布線的延伸方向上的另一側(cè)端部更靠另一側(cè)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的熔斷器，其特征在于，

所述布線包含：

熔斷部，該熔斷部由于熔化到所述低熔點(diǎn)金屬部的熔液中從而相對(duì)容易熔斷；以及

非熔斷部，該非熔斷部在所述布線的延伸方向上位于所述熔斷部的一側(cè)，且相對(duì)不易熔斷，

在俯視時(shí)，所述發(fā)熱體配置成不與所述熔斷部重疊。

4.如權(quán)利要求3所述的熔斷器，其特征在于，

所述熔斷部由相對(duì)于所述低熔點(diǎn)金屬部的熔液的熔化速度相對(duì)較高的金屬構(gòu)成，

所述非熔斷部由相對(duì)于所述低熔點(diǎn)金屬部的熔液的熔化速度相對(duì)較低的金屬構(gòu)成。

5.如權(quán)利要求4所述的熔斷器，其特征在于，

所述熔斷部包含Au和Ag中的至少一方，

所述非熔斷部包含Cu、Pb、Ni和Pt中的至少一種。

6.如權(quán)利要求3至5中的任一項(xiàng)所述的熔斷器，其特征在于，

所述熔斷部的寬度比所述非熔斷部窄。

7.如權(quán)利要求3至6中的任一項(xiàng)所述的熔斷器，其特征在于，

所述熔斷部比所述非熔斷部薄。

8.如權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的熔斷器，其特征在于，

還包括撥液部，該撥液部在所述絕緣性基板的一個(gè)主面上，相對(duì)于所述低熔點(diǎn)金屬部設(shè)置在所述布線的延伸方向的一側(cè)，且排拒所述低熔點(diǎn)金屬部的熔液。

9.如權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的熔斷器，其特征在于，

所述發(fā)熱體設(shè)置在所述基板的一個(gè)主面上或所述基板的內(nèi)部。

10.如權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的熔斷器，其特征在于，

還包括絕緣層，該絕緣層使所述布線與所述低熔點(diǎn)金屬部相絕緣。

11.如權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的熔斷器，其特征在于，

所述低熔點(diǎn)金屬部以Sn為主要成分。