[發(fā)明專利]用于非平面半導(dǎo)體器件架構(gòu)的精密電阻器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380042912.9
• 申請(qǐng)日: 2013-06-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104541377B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J-Y·D·葉;P·J·范德沃爾;W·M·哈菲茲;C-H·簡(jiǎn);C·蔡;J·樸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

1.一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

形成第一半導(dǎo)體鰭狀物和第二半導(dǎo)體鰭狀物；

形成位于所述第一半導(dǎo)體鰭狀物與所述第二半導(dǎo)體鰭狀物之間的隔離區(qū)，其中所述隔離區(qū)具有的高度小于所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物的高度；

在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物以及所述隔離區(qū)上方形成多晶硅層；

對(duì)所述多晶硅層圖案化以在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物上方提供虛擬柵極結(jié)構(gòu)和在所述隔離區(qū)上方但不在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物上方提供電阻器結(jié)構(gòu)；

掩蔽所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)并且使暴露的所述電阻器結(jié)構(gòu)凹陷；

對(duì)所述電阻器結(jié)構(gòu)進(jìn)行注入以提供所述電阻器結(jié)構(gòu)所需的電阻特性；

去除用于掩蔽所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)的掩模，并且在所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)和所述電阻器結(jié)構(gòu)之上形成層間電介質(zhì)層；

將所述層間電介質(zhì)層平面化，以暴露所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)的多晶硅并且使所述電阻器結(jié)構(gòu)保持未暴露；

去除所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)的多晶硅；以及

分別由所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物形成第一晶體管結(jié)構(gòu)和第二晶體管結(jié)構(gòu)，其中所述第一晶體管結(jié)構(gòu)和所述第二晶體管結(jié)構(gòu)分別包括作為金屬柵極電極的第一金屬部分和第二金屬部分，分別至少部分地位于所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物之上；

其中所述電阻器結(jié)構(gòu)的頂表面的高度小于所述第一金屬部分的頂表面的高度，并且所述電阻器結(jié)構(gòu)的頂表面的高度小于所述第二金屬部分的頂表面的高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述電阻器結(jié)構(gòu)包括與所述隔離區(qū)共形的多晶硅電阻材料層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述多晶硅具有大約20納米的晶粒大小。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述多晶硅電阻材料層包括硼。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述電阻材料層具有位于小于所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物的高度的高度處的頂表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述電阻器結(jié)構(gòu)包括鎢金屬接觸部，所述鎢金屬接觸部耦合到所述多晶硅中的硅化鎳區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一晶體管結(jié)構(gòu)和所述第二晶體管結(jié)構(gòu)均包括分別在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物或所述第二半導(dǎo)體鰭狀物中的源極區(qū)和漏極區(qū)、以及分別在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物上方的柵極堆疊體，其中，所述柵極堆疊體包括高k柵極電介質(zhì)層和金屬柵極電極，并且其中，所述第一金屬部分和第二金屬部分分別提供所述第一晶體管結(jié)構(gòu)和第二晶體管結(jié)構(gòu)的金屬柵極電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一半導(dǎo)體鰭狀物具有第一多個(gè)半導(dǎo)體鰭狀物，并且所述第二半導(dǎo)體鰭狀物具有第二多個(gè)半導(dǎo)體鰭狀物，并且其中，所述第一晶體管結(jié)構(gòu)由所述第一多個(gè)半導(dǎo)體鰭狀物形成的，并且所述第二晶體管結(jié)構(gòu)由所述第二多個(gè)半導(dǎo)體鰭狀物形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一多個(gè)半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二多個(gè)半導(dǎo)體鰭狀物電耦合到下方的體半導(dǎo)體襯底。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述電阻器結(jié)構(gòu)為平面電阻器結(jié)構(gòu)。