[發(fā)明專利]用于低速磨削操作的研磨制品有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380042495.8 | 申請日: | 2013-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN104640675B | 公開(公告)日: | 2017-05-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | N·薩蘭基;S·J·如克馬尼;S·E·福克斯;R·L·克勞斯 | 申請(專利權(quán))人: | 圣戈班磨料磨具有限公司;法國圣戈班磨料磨具公司 |
| 主分類號: | B24D3/20 | 分類號: | B24D3/20;C09K3/14;C09C1/68;C09G1/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11287 | 代理人: | 章蕾 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 低速 磨削 操作 研磨 制品 | ||
1.一種研磨制品,所述研磨制品包括:
具有包含在粘結(jié)材料中的磨粒的粘結(jié)研磨本體;
其中所述粘結(jié)材料包括:堿金屬氧化物化合物(R2O)與堿土金屬氧化物化合物(RO)的組合,所述組合的總含量為以所述粘結(jié)材料的總重量計至少14wt%;并且
其中所述粘結(jié)材料包括:含量為以所述粘結(jié)材料的總重量計至少11wt%且不大于17wt%的氧化硼(B2O3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)研磨本體包括至少13GPa的磨粒-粘結(jié)材料界面硬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)研磨本體設置為以至少35m/s的速度磨削包含金屬的工件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)研磨本體包括以所述粘結(jié)研磨本體的總體積計至少42vol%至70vol%的孔隙,并且所述粘結(jié)研磨本體包括以所述粘結(jié)研磨本體的總體積計至少35vol%的磨粒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)材料包括至少一種堿金屬氧化物化合物(R2O)和至少一種堿土金屬氧化物化合物(RO),其中所述堿金屬氧化物化合物和所述堿土金屬氧化物化合物的總含量為不大于20wt%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)材料中的二氧化硅(SiO2)重量百分比與Li2O重量百分比的比率(SiO2:Li2O)為9.6至26。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)材料中的二氧化硅(SiO2)重量百分比與Na2O重量百分比的比率(SiO2:Na2O)為4.8至10.4。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)材料中的二氧化硅(SiO2)重量百分比與K2O重量百分比的比率(SiO2:K2O)為9.6至26。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)材料中的二氧化硅(SiO2)重量百分比與B2O3重量百分比的比率(SiO2:B2O3)為2.8至5.2。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)材料中Li2O重量百分比與Na2O重量百分比的比率(Li2O:Na2O)為0.2至1。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)材料中Li2O重量百分比與K2O重量百分比的比率(Li2O:K2O)為0.4至2.5。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)材料中Na2O重量百分比與K2O重量百分比的比率(Na2O:K2O)為1至5。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)研磨本體包括定義為x軸半徑相對進給速率變化的變化的磨削因子,并且對于至少1.0英寸/分鐘的進給速率(Z’w),所述磨削因子為不大于0.040。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)研磨本體包括定義為y軸半徑相對進給速率變化的變化的磨削因子,并且對于至少1.0英寸/分鐘的進給速率(Z’w),所述磨削因子為不大于0.018。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨制品,其中所述粘結(jié)材料包括不大于20wt%的氧化硼(B2O3),且包括二氧化硅(SiO2)和氧化鋁(Al2O3),其中二氧化硅(SiO2):氧化鋁(Al2O3)的重量百分比的比率不大于3.2,以及包括不大于3.0wt%的五氧化二磷(P2O5),且其中所述粘結(jié)研磨本體具有以所述粘結(jié)研磨本體的總體積計至少42vol%的孔隙。
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