[發(fā)明專利]阻隔膜、阻隔膜的制備方法以及包括阻隔膜的制品有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380041879.8 | 申請日: | 2013-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN104768758B | 公開(公告)日: | 2016-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | J·C·斯帕格諾拉;M·A·勒里格;T·P·科倫;A·K·納赫蒂加爾;J·K·施諾布里奇;G·D·喬利 | 申請(專利權(quán))人: | 3M創(chuàng)新有限公司 |
| 主分類號: | B32B27/30 | 分類號: | B32B27/30;B32B33/00;B05D3/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 陳長會 |
| 地址: | 美國明*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 阻隔 制備 方法 以及 包括 制品 | ||
1.一種阻隔膜,所述阻隔膜包括:
基底;
在所述基底的主表面上的第一聚合物層;
在所述第一聚合物層上的氧化物層;和
在所述氧化物層上的第二聚合物層,
其中所述第一聚合物層或所述第二聚合物層中的至少一個包含具有至少兩個獨立地選擇的硅烷基團(tuán)的仲氨基或叔氨基官能化硅烷的硅氧烷反應(yīng)產(chǎn)物,其中所述仲氨基或叔氨基官能化硅烷不是雙-(γ-三乙氧基甲硅烷基丙基)胺。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻隔膜,其中所述仲氨基或叔氨基官能化硅烷由下式表示:
(R3)2N-R1-[Si(Y)p(R2)3-p]
其中
R1為任選地插入有一個或多個-O-基團(tuán)或最多至三個-NR3-基團(tuán)的多價亞烷基基團(tuán);
R2為烷基、芳基亞烷基基或-R1-[Si(Y)p(R2)3-p];
每個R3獨立地為氫、烷基、芳基亞烷基基或-R1-[Si(Y)p(R2)3-p];
Y為烷氧基、乙酰氧基、芳氧基或鹵素;并且
p為1、2或3;
前提條件是存在至少兩個獨立地選擇的-Si(Y)p(R2)3-p基團(tuán),并且兩個R3基團(tuán)可均不是氫。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的阻隔膜,其中一個R3為烷基或氫,并且另一個R3為-R1-[Si(Y)p(R2)3-p]。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的阻隔膜,其中所述仲氨基或叔氨基官能化硅烷為雙(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)胺、N-甲基-雙(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)胺或N,N’-雙[3-三甲氧基甲硅烷基丙基]-乙二胺。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的阻隔膜,其中在所述至少兩個獨立地選擇的硅烷基團(tuán)中,Y為甲氧基、乙酰氧基或氯,并且p為3。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的阻隔膜,其中至少所述第二聚合物層包含所述硅氧烷反應(yīng)產(chǎn)物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的阻隔膜,其中所述阻隔膜包括在所述第一聚合物層上的多個交替的氧化物層和第二聚合物層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的阻隔膜,其中所述基底包含下列中的至少一種:聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚芳醚酮、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺、聚芳基砜、聚醚砜、聚酰胺酰亞胺、聚酰亞胺、乙烯-四氟乙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物或聚偏二氟乙烯,它們中的任一種可任選地為熱穩(wěn)定的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的阻隔膜,其中所述第一聚合物層或所述第二聚合物層中的至少一個包含聚合的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的阻隔膜,其中所述丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為三環(huán)癸烷二甲醇二丙烯酸酯、3-(丙烯酰氧基)-2-羥基-丙基甲基丙烯酸酯、三丙烯酰氧基乙基異氰脲酸酯、二丙烯酸甘油酯、乙氧基化三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、丙氧基化(3)甘油基二丙烯酸酯、丙氧基化(5,5)甘油基二丙烯酸酯、丙氧基化(3)三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、丙氧基化(6)三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯或它們的組合。
11.一種阻隔組件,所述阻隔組件包括權(quán)利要求1至10中任一項所述的阻隔膜,其中所述阻隔膜的主表面用壓敏粘合劑粘附至頂部片材,其中所述頂部片材包含乙烯-四氟乙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物或聚偏二氟乙烯中的至少一種。
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