[發明專利]用于制造奧氏體不銹鋼冷軋鋼板的高速酸洗方法

有效

• 申請號: 201380041130.3
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN104520473B
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 李龍憲;金鎮錫;金志熏
• 申請（專利權）人: POSCO公司
• 主分類號: C23G1/08
• 分類號: C23G1/08;C23G3/00
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司11285
• 代理人: 王媛,鐘守期

1.一種用于從具有16wt％或更大的鉻濃度的冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板去除硅Si氧化物的酸洗方法，所述方法包含將冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板浸入不含硝酸的混合酸溶液中，所述混合酸溶液具有以下初始組成：硫酸濃度為110g/l至150g/l，游離的氫氟酸濃度為15g/l至30g/l，過氧化氫濃度為4.5g/l或更大，以及鐵Fe離子濃度基本為零，

其中混合酸溶液的過氧化氫濃度和Fe離子濃度滿足以下等式1：

(1)過氧化氫濃度＝0.00736+10×e^{-[金屬]/13.2}

混合酸溶液的氧化-還原電勢ORP和Fe離子濃度滿足以下等式2或等式3：

(2)當Fe離子濃度≤10g/l時，ORP＝600mV

(3)當Fe離子濃度>10g/l時，ORP＝310+431×e^{-[金屬]/25.24}

其中，[金屬]是指混合酸溶液中的鐵離子濃度。

2.權利要求1的酸洗方法，其中冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板在酸洗后具有1μm或更大的晶界寬度W。

3.權利要求2的酸洗方法，其中控制冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板的浸入，以使混合酸溶液的溫度T、氫氟酸濃度C和加工時間t滿足以下式4：

(4)酸洗后的晶界寬度W＝-0.184+0.0131·t+0.016·C+0.01·T。

4.一種從具有16wt％或更大的鉻濃度的冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板去除硅氧化物的酸洗方法，所述方法包含將冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板浸入不含有硝酸并維持溫度范圍為20℃至32℃的混合酸溶液中，所述混合酸溶液具有以下初始組成：硫酸濃度為110g/l至150g/l，游離的氫氟酸濃度為25g/l至40g/l，過氧化氫濃度為5.5g/l或更大，以及Fe離子濃度基本為零，

其中過氧化氫濃度和鐵離子濃度滿足以下式5：

(5)過氧化氫濃度＝0.805+9.2×e^{-[金屬/15.56]}

其中[金屬]是指混合酸溶液中的鐵離子濃度。

5.權利要求1至4中任一項的酸洗方法，其中浸入混合溶液中的冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板的開放電路電勢OCP維持在-0.2V至0.1V范圍內。

6.權利要求1至4中任一項的酸洗方法，其中冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板浸入混合溶液10秒至100秒。

7.權利要求1至4中任一項的酸洗方法，其中在中性鹽電解質處理和硫酸電解質處理或在硫酸電解質處理后，從冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板去除硅氧化物，

其中，中性鹽電解質處理以使用含有硫酸鈉電解質的中性鹽電解質溶液來實施，從而從冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板去除富鉻Cr氧化皮，以及

硫酸電解質處理以使用含有硫酸作為電解質的硫酸電解質溶液來實施，從而去除殘留在冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板上的鉻和鐵氧化皮。

8.權利要求7的酸洗方法，其中中性鹽電解質處理通過以下實施：將冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板浸入維持在50℃至90℃的中性鹽電解質溶液中，并且對冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板施加10A/dm²至30A/dm²的電流30秒至120秒，從而使冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板具有順序為正(+)、負(-)和正(+)的OCP。

9.權利要求8的酸洗方法，其中中性鹽電解質溶液包含100g/l至250g/l的硫酸鈉電解質。

10.權利要求7的酸洗方法，其中在冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板通過中性鹽電解質處理加工后，硫酸電解質處理通過以下實施：將冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板浸入維持在30℃至60℃的硫酸電解質溶液中，并且對冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板施加10A/dm²至30A/dm²的電流5秒至50秒以使冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板具有順序為正(+)、負(-)和正(+)的OCP。

11.權利要求10的酸洗方法，其中硫酸電解質溶液包含50g/l至150g/l的硫酸。

12.通過權利要求1至4中任一項的酸洗方法獲得的冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板，其中所述冷軋高鉻奧氏體不銹鋼板具有當在相對于不銹鋼板的軋制方向的60°的反射角下測量時的150或更大的光澤度。