[發明專利]光電轉換元件、成像裝置及光學傳感器有效
| 申請號: | 201380041105.5 | 申請日: | 2013-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN104508838B | 公開(公告)日: | 2018-07-10 |
| 發明(設計)人: | 宇高融;村田昌樹;森本類;榎修 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L31/10 | 分類號: | H01L31/10;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電轉換元件 光學傳感器 成像裝置 有機光電轉換元件 第二電極 第一電極 有機半導體材料 波長敏感度 光電轉換部 光譜敏感度 波長區域 單個元件 結構檢測 偏置電壓 施加 | ||
1.一種光電轉換元件,包括:
第一電極;
第二電極;以及
有機光電轉換部,被設置在所述第一電極和所述第二電極之間并且包括具有不同波長敏感度的兩種以上類型的有機半導體材料,其中,所述有機光電轉換部中的兩種以上類型的有機半導體材料中的一種是苝酰亞胺酸,
其中,所述光電轉換元件的波長敏感度特性根據施加在所述第一電極和所述第二電極之間的電壓而改變,并且
其中,在所述有機光電轉換部中,交替地層壓由第一有機半導體材料形成的層和由第二有機半導體材料形成的層,所述由第二有機半導體材料形成的層的波長敏感度不同于所述由第一有機半導體材料形成的層的波長敏感度,
其中,所述波長敏感度特性進一步通過改變有機半導體材料分子濃度的平衡而調整。
2.根據權利要求1所述的光電轉換元件,其中,
所述有機光電轉換部具有層壓波長敏感度不同的兩個以上有機半導體層的構造,以及
每個有機半導體層均包含一種類型或兩種以上類型的有機半導體材料。
3.根據權利要求1所述的光電轉換元件,其中,所述有機光電轉換部由p型有機半導體材料和n型有機半導體材料形成。
4.根據權利要求1所述的光電轉換元件,其中,所述第一電極和/或所述第二電極由透明材料形成。
5.根據權利要求1所述的光電轉換元件,其中,所述第一電極和所述第二電極具有層壓由不同材料形成的兩個以上層的結構。
6.一種成像裝置,包括根據權利要求1所述的光電轉換元件。
7.一種光學傳感器,包括:
根據權利要求1所述的光電轉換元件,
其中,所述光學傳感器的檢測波長區域根據施加在所述第一電極和所述第二電極之間的電壓而改變。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





