[發明專利]抗蝕劑下層膜形成用組合物

有效

• 申請號: 201380040983.5
• 申請日: 2015-08-03
• 公開（公告）號: CN104508558A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 西卷裕和;橋本圭祐;新城徹也;遠藤貴文;坂本力丸
• 申請（專利權）人: 日產化學工業株式會社
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11;C08G8/00;G03F7/26;H01L21/027
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;田欣

1.一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含下述聚合物和溶劑，所述聚合物具有下述式(1a)、式(1b)和式(1c)所示的重復結構單元中的任1種或2種以上，

式中，2個R¹各自獨立地表示碳原子數1～10的烷基、碳原子數2～6的烯基、芳香族烴基、鹵原子、硝基或氨基，2個R²各自獨立地表示氫原子、碳原子數1～10的烷基、碳原子數2～6的烯基、縮醛基、酰基或縮水甘油基，R³表示可以具有取代基的芳香族烴基，R⁴表示氫原子、苯基或萘基，與同一碳原子結合的R³和R⁴各自表示苯基時可以彼此結合而形成芴環，在式(1b)中2個R³所表示的基團和2個R⁴所表示的原子或基團可以彼此不同，2個k各自獨立地表示0或1，m表示3～500的整數，n、n₁和n₂表示2～500的整數，p表示3～500的整數，X表示單鍵或雜原子，2個Q各自獨立地表示下述式(2)所示的結構單元，

式中，2個R¹、2個R²、2個R³、2個R⁴、2個k、n₁、n₂和X與式(1b)中的含義相同，2個Q¹各自獨立地表示上述式(2)所示的結構單元。

2.根據權利要求1所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述聚合物為通過使至少1種的聯苯酚化合物或二苯酚化合物與至少1種的芳香族醛或芳香族酮在酸催化劑的存在下進行聚合反應而合成的。

3.根據權利要求1所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述R³所表示的芳香族烴基為苯基、萘基、蒽基或芘基。

4.根據權利要求1～3的任一項所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其進一步含有交聯劑、酸性化合物、熱產酸劑和表面活性劑中的至少1種。

5.一種半導體裝置的制造方法，其包括下述工序：通過將權利要求1～4的任一項所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物涂布于具有高低差、凹部和/或凸部的表面，進行烘烤而形成第1抗蝕劑下層膜的工序；在所述第1抗蝕劑下層膜上形成有機聚硅氧烷膜作為第2抗蝕劑下層膜的工序；在所述第2抗蝕劑下層膜上形成抗蝕劑圖案的工序；將所述抗蝕劑圖案作為掩模對所述第2抗蝕劑下層膜進行蝕刻的工序；將蝕刻后的所述第2抗蝕劑下層膜的圖案作為掩模對所述第1抗蝕劑下層膜進行蝕刻的工序；以及將蝕刻后的所述第1抗蝕劑下層膜的圖案作為掩模對所述具有高低差、凹部和/或凸部的表面進行蝕刻的工序。