[發明專利]外延硅晶片的制造方法和外延硅晶片有效
| 申請號： | 201380040947.9 | 申請日： | 2013-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN104584191B | 公開（公告）日： | 2017-03-29 |
| 發明（設計）人： | 楢原和宏;增田純久 | 申請（專利權）人： | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205;C23C16/24;C30B25/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蔡曉菡,劉力 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延 晶片 制造 方法 | ||
1.外延硅晶片的制造方法，其特征在于，在硅晶片的所述單面上形成外延層，所述硅晶片的單面的面取向為（100）面或（110）面，該單面側的端部的倒角寬度為200μm以下。
2.權利要求1所述的外延硅晶片的制造方法，其中，所述硅晶片的中心部的所述外延層的膜厚為2~10μm。
3.權利要求1或2所述的外延硅晶片的制造方法，其中，所述硅晶片的所述單面側的端部的倒角寬度為100μm以上。
4.權利要求1~3中任一項所述的外延硅晶片的制造方法，其中，所述硅晶片的另一面側的端部的倒角寬度為300~400μm。
5.權利要求1~4中任一項所述的外延硅晶片的制造方法，其特征在于，在所述外延層的形成中，對于所述外延層的表面，將下述定義的PV值控制為12.5以下，
記
PV值為如下值：將邊緣去除區域設為1mm時的ESFQR的各晶體取向的平均值之中、最大值減去最小值而得的值（nm）除以所述硅晶片的中心部的所述外延層的膜厚（μm）從而得到的值。
6.外延硅晶片，其特征在于，其具備：單面的面取向為（100）面或（110）面、該單面側的端部的倒角寬度為200μm以下的硅晶片；以及
在該硅晶片的所述單面上形成的外延層，
對于所述外延層的表面，下述定義的PV值為12.5以下，
記
PV值為如下值：將邊緣去除區域設為1mm時的ESFQR的各晶體取向的平均值之中、最大值減去最小值而得的值（nm）除以所述硅晶片的中心部的所述外延層的膜厚（μm）從而得到的值。
7.權利要求6所述的外延硅晶片，其中，所述硅晶片的中心部的所述外延層的膜厚為2~10μm。
8.權利要求6或7所述的外延硅晶片，其中，所述硅晶片的另一面側的端部的倒角寬度為300~400μm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
