[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380040831.5
• 申請日: 2013-09-05
• 公開（公告）號: CN104541381B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 駒田聰
• 申請（專利權(quán)）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/22
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 宋俊寅

1.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，包括：

基板；

設(shè)置于所述基板上的第1氮化物半導(dǎo)體層；

設(shè)置于所述第1氮化物半導(dǎo)體層上的發(fā)光層；以及

設(shè)置于所述發(fā)光層上的第2氮化物半導(dǎo)體層，

所述第1氮化物半導(dǎo)體層包含以2×10¹⁹個/cm³以上的高濃度摻雜硅而得到的高濃度硅摻雜層、以及用于在高濃度硅摻雜層上將穿透位錯橫向彎曲的位錯減少層，

硅濃度從所述高濃度硅摻雜層起逐漸向所述發(fā)光層側(cè)降低。

2.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，

朝著所述發(fā)光層側(cè)、與所述高濃度硅摻雜層的所述發(fā)光層側(cè)的表面相距1.5μm處的硅濃度在1×10¹⁷個/cm³以上。

3.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，

所述高濃度硅摻雜層的厚度為0.5μm以下。

4.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，

在所述位錯減少層和所述發(fā)光層之間配置有包含鎂的層。

5.如權(quán)利要求1至4任一項所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，

包含高度在20nm以上、300nm以下，橫向的寬度在40μm以上300μ以下的聚并臺階，所述聚并臺階是相對于生長面傾斜的面，形成于第2氮化物半導(dǎo)體層的表面。