[發明專利]形成半導體設備的方法

有效

• 申請號: 201380040648.5
• 申請日: 2013-07-08
• 公開（公告）號: CN104507853B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發明（設計）人: 瑪麗亞姆·薩達卡;伯納德·阿斯帕;克里斯特勒·拉加赫·布蘭查德
• 申請（專利權）人: 索泰克公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王小東

1.一種形成半導體設備的方法，所述半導體設備包括集成電路以及與所述集成電路操作地聯接的MEMS設備，該方法包括：

形成導電通道，所述導電通道從基板的第一主表面朝向所述基板的相反的第二主表面至少部分地延伸穿過所述基板；

將集成電路的至少一部分制造在所述基板的所述第一主表面上；以及

將MEMS設備設置在所述基板的所述第二主表面上，并且使用至少一個所述導電通道將所述MEMS設備與所述集成電路操作地聯接。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，將集成電路的至少一部分制造在所述基板的所述第一主表面上包括：將至少一個晶體管形成在所述基板的所述第一主表面上。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，將集成電路的至少一部分制造在所述基板的所述第一主表面上還包括：將至少一個導電特征部形成在所述基板的所述第一主表面之上，所述至少一個導電特征部與所述導電通道電聯接。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，將MEMS設備設置在所述基板的所述第二主表面上包括：將單獨制造的MEMS設備結合在所述基板的所述第二主表面上。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，將單獨制造的MEMS設備結合在所述基板的所述第二主表面上包括：將所述導電通道的端部在結構上聯接至并且電聯接至所述MEMS設備的導電特征部。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，將單獨制造的MEMS設備結合在所述基板的所述第二主表面上包括：

在所述基板的所述第二主表面中形成凹槽；以及

將單獨制造的MEMS設備至少部分地定位在所述凹槽內。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，將MEMS設備設置在所述基板的所述第二主表面上包括：將所述MEMS設備的至少一部分一體地形成在所述基板的所述第二主表面上。

8.根據權利要求7述的方法，其中，將所述MEMS設備的所述至少一部分一體地形成在所述基板的所述第二主表面上包括：

在所述基板的所述第二主表面中形成至少一個換能器腔室凹槽；以及

將換能器在所述換能器腔室凹槽之上設置在所述基板的所述第二主表面上。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，將換能器在所述換能器腔室凹槽之上設置在所述基板的所述第二主表面上包括：

將SOI型結構結合至所述基板的所述第二主表面，所述SOI型基板包括結合至相對厚的塊材料體積的相對薄的材料層，在所述相對薄的材料層與所述相對厚的塊材料體積之間具有中間材料；

移除所述SOI型結構的一部分，并且留下所述相對薄的材料層結合至所述基板的所述第二主表面；以及

將一部分所述相對薄的材料層配置在所述換能器腔室凹槽之上以包括所述換能器的至少一部分。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，將換能器在所述換能器腔室凹槽之上設置在所述基板的所述第二主表面上包括：

獨立于所述基板形成一結構，所述結構包括材料層，所述材料層懸置在另一基板中的另一換能器腔室凹槽之上；以及

將所述另一基板結合至所述基板的所述第二主表面，使得所述材料層的換能器部分在所述基板的所述第二主表面中的所述換能器腔室凹槽與所述另一基板中的所述另一換能器腔室凹槽之間延伸。

11.一種半導體結構，該半導體結構包括：

形成在基板的第一主表面上的集成電路的至少一部分；

位于所述基板的第二主表面上的包括換能器的MEMS設備，所述第二主表面布置在所述基板的與所述第一主表面相反的一側；以及

導電通道，該導電通道延伸穿過所述基板，并且將所述MEMS設備電聯接至所述集成電路的所述至少一部分。

12.根據權利要求11所述的半導體結構，其中，所述基板的所述第一主表面上的所述集成電路的所述至少一部分包括位于所述基板的所述第一主表面上的至少一個晶體管。

13.根據權利要求12所述的半導體結構，其中，所述基板的所述第一主表面上的所述集成電路的所述至少一部分還包括位于所述基板的所述第一主表面之上的至少一個導電特征部，所述至少一個導電特征部與所述導電通道電聯接。