[發(fā)明專利]用于高分辨率導電圖案的柔版印刷的油墨制劑無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380040637.7 | 申請日: | 2013-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN104508794A | 公開(公告)日: | 2015-04-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金丹良;艾德·S·拉馬克里斯南 | 申請(專利權(quán))人: | 尤尼皮克塞爾顯示器有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/28 |
| 代理公司: | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11219 | 代理人: | 楊青;穆德駿 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 高分辨率 導電 圖案 印刷 油墨 制劑 | ||
與相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求2012年7月30日提交的美國臨時專利申請?zhí)?1/677,058的優(yōu)先權(quán),所述臨時申請通過參考并入本文。
發(fā)明領(lǐng)域
本公開總的來說涉及印刷電子器件,具體來說涉及可用于制造印刷電子器件例如觸屏顯示器和天線的油墨制劑。
背景技術(shù)
制造透明薄膜天線的常規(guī)方法包括利用帶有銅/銀導電漿料的厚膜進行絲網(wǎng)印刷,產(chǎn)生寬(>100μm)且高(>10μm)的線。光刻和蝕刻方法用于更薄且更窄的零件。這些方法可能不能印刷例如在包含高分辨率導電圖案的各種電子裝置和相關(guān)應(yīng)用中使用的較小、較高分辨率的圖案。
發(fā)明概述
在實施方式中,一種柔版制造高分辨率導電圖案的方法包括:使用油墨將第一圖案柔版印刷在基材上,其中所述第一圖案包含多條線,并且其中所述多條線中的每條線的寬度在1微米至25微米之間;其中所述油墨包含:水相容性聚合物;和鍍敷(plating)催化劑;通過至少部分地固化印刷的圖案,將所述第一圖案固化;以及鍍敷所述第一圖案以形成導電圖案。
在可替選實施方式中,一種柔版制造高分辨率導電圖案的方法包括:使用油墨將圖案柔版印刷在基材上,其中所述圖案包含多條線,并且其中所述多條線中的每條線的寬度在1微米至25微米之間;其中所述油墨包含:水相容性聚合物;和鍍敷催化劑。所述實施方式還包括:通過至少部分地固化印刷的圖案,將所述印刷的圖案固化;以及鍍敷所述印刷的圖案以形成高分辨率導電圖案。
在可替選實施方式中,一種柔版制造高分辨率導電圖案的方法包括:使用油墨將至少一個圖案柔版印刷在基材上,其中所述圖案包含多條線,并且其中所述多條線中的每條線的寬度為1微米至25微米;并且其中所述油墨包含:至少一種聚合物;至少一種鍍敷催化劑,其中所述鍍敷催化劑包含四(三苯基膦)鈀(0)。所述實施方式還包含:固化至少一個印刷的圖案,其中固化包括至少部分地固化所述印刷的圖案;以及鍍敷所述至少一個印刷的圖案,其中鍍敷所述至少一個圖案形成了導電圖案。
考察下面的描述和附圖,其他特點和特征將變得顯而易見。
附圖說明
為了詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式,現(xiàn)在將對附圖進行參考,在所述附圖中:
圖1A-1C是按照本公開的實施方式,使用具有不同粘度的油墨制造的圖案的橫截面的圖示。
圖2是用于執(zhí)行本公開的實施方式的系統(tǒng)的圖示。
圖3是用于執(zhí)行本公開的實施方式的方法的流程圖。
具體實施方式
題為“無電鍍敷方法”(Method?for?electroless?plating)的US20060134442、題為“用于無電鍍敷的催化金屬核的形成”(Formation?of?catalytic?metal?nuclei?for?electroless?plating)的US4830880、題為“用于金屬的無電沉積的催化性交聯(lián)聚合物膜”(CATALYTIC,CROSSLINKED?POLYMERIC?FILMS?FOR?ELECTROLESS?DEPOSITION?OF?METAL)的WO/1995/032318、題為“用于金屬的無電沉積的催化性交聯(lián)聚合物膜”(Catalytic,cross-linked?polymeric?films?for?electroless?deposition?of?metal)的US5424009、題為“可固化的噴墨可印刷油墨組合物”(Curable?inkjet?printable?ink?compositions)的US6719422、題為“固體層在基材上的形成”(Formation?of?solid?layers?on?substrates)的US20050153078和題為“導電金屬區(qū)在基材上的形成”(Formation?of?Conductive?Metal?Regions?on?Substrates)的US20090181227,可能與本公開相關(guān)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





