[發明專利]半導體發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201380040592.3
• 申請日: 2013-06-14
• 公開（公告）號: CN104508842B
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發明（設計）人: 安相貞
• 申請（專利權）人: 安相貞
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/62
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 呂俊剛,劉久亮

1.一種制造半導體發光器件的方法，該方法包括以下步驟：

制備多個半導體層，該多個半導體層順序生長在生長基板上，所述多個半導體層包括：第一半導體層，該第一半導體層具有第一導電性和形成在其一側上的生長基板去除面；第二半導體層，該第二半導體層具有與所述第一導電性不同的第二導電性；以及有源層，該有源層插入在所述第一半導體層與所述第二半導體層之間，經由電子空穴復合產生光；

制備支撐基板，該支撐基板具有第一面和與所述第一面相反的第二面，其中，第一電傳遞通道和第二電傳遞通道通過對所述支撐基板進行穿孔并且將導電材料插入到所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道的每一個中來設置，經由該第一電傳遞通道電子或空穴被轉移到所述多個半導體層，未經由所述第一電傳遞通道轉移的任何電子或空穴經由該第二電傳遞通道被轉移到所述多個半導體層；

將所述生長基板的相反側上的所述多個半導體層與所述支撐基板的第一面側結合，使得結合層形成在結合區域上，并且所述第一電傳遞通道經由所述結合層連接到所述多個半導體層；

去除所述基板；

去除所述結合層，以使所述第二電傳遞通道露出；以及

通過電連接件將所述第二電傳遞通道與所述多個半導體層電連接，使得未經由所述第一電傳遞通道轉移的任何電子或空穴轉移到所述多個半導體層，

其中，所述多個半導體層具有電連接到所述第一半導體層和第二半導體層中的一方的導電層，并且所述方法還包括以下步驟：在電連接步驟之前，去除所述多個半導體層以使所述導電層露出，并且

其中，所述電連接件經由所述導電層與所述多個半導體層電連接。

2.根據權利要求1所述的制造半導體發光器件的方法，其中，所述結合層去除步驟包括去除所述多個半導體層。

3.根據權利要求1所述的制造半導體發光器件的方法，其中，去除所述結合層的步驟包括：隔離所述多個半導體層以制造單個芯片；以及去除所述結合層，以使所述第二電傳遞通道露出。

4.根據權利要求1所述的制造半導體發光器件的方法，其中，所述導電層電連接到所述第二半導體層。

5.根據權利要求1所述的制造半導體發光器件的方法，其中，所述導電層電連接到所述第一半導體層。

6.根據權利要求1所述的制造半導體發光器件的方法，其中，在電連接步驟中，所述第二電傳遞通道持續到被去除了所述生長基板的所述多個半導體層。

7.根據權利要求1所述的制造半導體發光器件的方法，其中，在結合步驟之前，去除所述多個半導體層的一部分。

8.根據權利要求1所述的制造半導體發光器件的方法，其中，所述第一半導體層、所述有源層和所述第二半導體層是III族氮化物半導體發光器件。

9.根據權利要求1所述的制造半導體發光器件的方法，其中，在結合步驟中，將所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道這兩者結合到所述結合層。

10.根據權利要求1所述的制造半導體發光器件的方法，其中，在結合步驟中，所述結合層形成在所述支撐基板的整個所述第一面上。