[發明專利]鎢燒結體濺射靶和使用該靶形成的鎢膜在審
| 申請號： | 201380040553.3 | 申請日： | 2013-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN104508176A | 公開（公告）日： | 2015-04-08 |
| 發明（設計）人： | 神永賢吾;大橋一允 | 申請（專利權）人： | 吉坤日礦日石金屬株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;B22F3/14;B22F3/15;C22C1/04;C23C14/14;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司11219 | 代理人： | 王海川;穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 燒結 濺射 使用 形成 | ||
【權利要求書】：
1.一種鎢燒結體濺射靶，其特征在于，用二次離子質譜裝置(D-SIMS)檢測出的鉬強度為鎢強度的萬分之一以下。
2.一種鎢燒結體濺射靶，其特征在于，用二次離子質譜裝置(D-SIMS)檢測出的鉬強度為鎢強度的十萬分之一以下。
3.一種鎢燒結體濺射靶，其特征在于，用二次離子質譜裝置(D-SIMS)檢測出的鉬強度為鎢強度的百萬分之一以下。
4.如權利要求1～3中任一項所述的鎢燒結體濺射靶，其特征在于，對濺射膜在850℃進行60分鐘加熱處理(熱處理)后的膜電阻與未進行熱處理的濺射膜(濺射后保持原樣的膜)的膜電阻相比為95％以下。
5.如權利要求1～權利要求4中任一項所述的鎢燒結體濺射靶，其特征在于，用于濺射的鎢靶中的鉬含量為3ppm以下。
6.如權利要求1～權利要求5中任一項所述的鎢燒結體濺射靶，其特征在于，使用W粉末進行燒結而得到，所述W粉末為根據燒結時使用的W粉末的粒度分布測定，10μm以下的鎢粒子的粒徑的比例為30％以上且小于70％的W粉末。
7.一種鎢薄膜，其通過使用權利要求1～6中任一項所述的鎢燒結體濺射靶進行成膜而得到。
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