[發明專利]寬帶隙半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201380040316.7
• 申請日: 2015-08-04
• 公開（公告）號: CN104508824A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 和田圭司;增田健良;日吉透
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L29/47
• 分類號: H01L29/47;H01L29/872
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種寬帶隙半導體器件，包括：

襯底，所述襯底由寬帶隙半導體材料形成，具有主面，并且包括第一導電類型區和第二導電類型區，以及

鄰接所述襯底的所述主面布置的肖特基電極，

所述襯底具有形成的溝槽，所述溝槽包括與所述主面接續的側面以及與所述側面接續的底部，

所述肖特基電極在所述溝槽的所述側面以及所述主面處鄰接所述第一導電類型區，并且在所述溝槽的所述底部處鄰接所述第二導電類型區，

所述溝槽的所述側面相對于所述襯底的所述主面傾斜。

2.根據權利要求1所述的寬帶隙半導體器件，其中所述寬帶隙半導體材料包括碳化硅。

3.根據權利要求1或2所述的寬帶隙半導體器件，其中所述主面相對于所述側面的角度大于或等于50°且小于或等于85°。

4.根據權利要求1－3中的任一項所述的寬帶隙半導體器件，其中

所述溝槽包括彼此相鄰的第一溝槽和第二溝槽，

所述第二導電類型區包括鄰接所述第一溝槽的底部的第一第二導電類型區，鄰接所述第二溝槽的底部的第二第二導電類型區，以及布置在所述第一第二導電類型區和所述第二第二導電類型區之間的第三第二導電類型區。

5.根據權利要求1－4中的任一項所述的寬帶隙半導體器件，其中所述襯底包括鄰接所述肖特基電極的外周的第四第二導電類型區。

6.一種制造寬帶隙半導體器件的方法，包括以下步驟：

制備襯底，所述襯底由寬帶隙半導體材料形成，具有主面，并且包括第一導電類型區和第二導電類型區，

在所述襯底的所述主面處形成溝槽，所述溝槽具有與所述主面接續的側面以及與所述側面接續的底部，以及

形成肖特基電極，所述肖特基電極在所述襯底的所述主面以及所述溝槽的所述側面處鄰接所述第一導電類型區，并且在所述溝槽的所述底部處鄰接所述第二導電類型區，

在形成溝槽的所述步驟中，所述溝槽的所述側面形成為相對于所述襯底的所述主面傾斜。

7.根據權利要求6所述的制造寬帶隙半導體器件的方法，其中通過熱蝕刻執行形成溝槽的所述步驟。