[發明專利]用于制造多色的LED顯示器的方法有效
| 申請號: | 201380039951.3 | 申請日: | 2013-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN104508822B | 公開(公告)日: | 2017-06-09 |
| 發明(設計)人: | 亞歷山大·F·普福伊費爾;馬丁·曼德爾 | 申請(專利權)人: | 歐司朗光電半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,張春水 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 多色 led 顯示器 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種用于制造多色的LED顯示器的方法,其中利用轉換層產生多個顏色的光。
本申請要求德國專利申請10 2012 106 859.3的優先權,其公開內容通過參考并入本文。
背景技術
多色的LED顯示器例如能夠通過下述方式實現:LED顯示器的像素分別包含發射藍色的LED芯片,其中將第一轉換層施加到像素的第一部分上,所述第一轉換層將藍光轉換成綠光,并且將第二轉換層施加到像素的第二部分上,所述第二轉換層將藍光轉換成紅光。替選地,也可行的是,在像素的第二部分上施加有第一轉換層和第二轉換層,以便將藍光借助于第一轉換層轉換成綠光并且借助于第二轉換層將綠光轉換成紅光。
以這種方式能夠借助多個發射藍色的LED芯片利用兩個轉換層實現RGB顯示器。
適合于將藍光轉換成綠光或將藍光和/或綠光轉換成紅光的轉換材料是本身已知的。包含所述轉換材料的轉換層例如能夠以小板的形式選擇性地施加到LED芯片上。但是,這尤其對于具有兩種不同轉換材料的LED顯示器而言是非常耗費的。所述方法適合于下述LED顯示器,在所述LED顯示器中,像素具有大于100μm的棱邊長度。但是在像素尺寸較小的情況下,出現明顯的調整耗費。
發明內容
要實現的目的在于,提出一種用于制造多色的LED顯示器的方法,其中借助相對小的制造和調整耗費產生多個顏色的像素,其中該方法應尤其適用于具有非常小的像素大小的LED顯示器。
所述目的通過一種用于制造多色的LED顯示器的方法實現,所述LED顯示器具有帶有多個像素的LED發光單元,其中-所述像素具有用于發射第一顏色的第一亞像素、用于發射第二顏色的第二亞像素和用于發射第三顏色的第三亞像素,-亞像素別包含LED芯片,所述LED芯片適合用于發射第一顏色的輻射,-至少在所述第二亞像素之上設置第一轉換層,所述第一轉換層適合用于將第一顏色的輻射轉換成第二顏色的輻射,-在所述第三亞像素之上設置第二轉換層,所述第二轉換層適合用于將第一顏色的輻射和/或第二顏色的輻射轉換成第三顏色的輻射,-為了將所述第一轉換層設置在所述第二亞像素之上并且為了將所述第二轉換層設置在所述第三亞像素之上,分別執行至少一個過程步驟,其中在所述像素之上的至少一個限定的區域中施加或移除所述第一轉換層或所述第二轉換層,-在所述過程步驟中電運行所述LED芯片的一部分,-通過由所述LED芯片的一部分產生的電磁輻射、產生的熱量或產生的電場來限定至少一個所述區域-將所述第一轉換層設置在所述LED發光單元之上,-將所述第二轉換層設置在所述第一轉換層之上,-將所述第二轉換層從所述第一亞像素和所述第二亞像素移除,并且-將所述第一轉換層從所述第一亞像素移除,其中移除所述第一轉換層和/或第二轉換層借助于用于局部的層剝離的方法進行,所述用于局部的層剝離的方法借助于光譜敏感地光學識別由所述LED芯片的一部分發射的電磁輻射來控制;所述目的還通過一種用于制造多色的LED顯示器的方法來實現,所述LED顯示器具有帶有多個像素的LED發光單元,其中-所述像素具有用于發射第一顏色的第一亞像素、用于發射第二顏色的第二亞像素和用于發射第三顏色的第三亞像素,-亞像素分別包含LED芯片,所述LED芯片適合用于發射第一顏色的輻射,-至少在所述第二亞像素之上設置第一轉換層,所述第一轉換層適合用于將第一顏色的輻射轉換成第二顏色的輻射,-在所述第三亞像素之上設置第二轉換層,所述第二轉換層適合用于將第一顏色的輻射和/或第二顏色的輻射轉換成第三顏色的輻射,-為了將所述第一轉換層設置在所述第二亞像素之上并且為了將所述第二轉換層設置在所述第三亞像素之上,分別執行至少一個過程步驟,其中在所述像素之上的至少一個限定的區域中施加或移除所述第一轉換層或所述第二轉換層,-在所述過程步驟中電運行所述LED芯片的一部分,-通過由所述LED芯片的一部分產生的電磁輻射、產生的熱量或產生的電場來限定至少一個所述區域,-將所述第一轉換層設置在所述LED發光單元之上,-將所述第二轉換層設置在所述第一轉換層之上,-將所述第二轉換層從所述第一亞像素和所述第二亞像素移除,并且-將所述第一轉換層從所述第一亞像素移除,其中移除所述第一轉換層和/或所述第二轉換層借助于用于局部的層剝離的方法來進行,所述用于局部的層剝離的方法借助于由所述LED芯片的一部分發射的熱量和/或借助于由所述LED芯片的一部分發射的電磁輻射來局部地增強;所述目的還通過一種用于制造多色的LED顯示器的方法來實現,所述LED顯示器具有帶有多個像素的LED發光單元,其中-所述像素具有用于發射第一顏色的第一亞像素、用于發射第二顏色的第二亞像素和用于發射第三顏色的第三亞像素,-亞像素分別包含LED芯片,所述LED芯片適合用于發射第一顏色的輻射,-至少在所述第二亞像素之上設置第一轉換層,所述第一轉換層適合用于將第一顏色的輻射轉換成第二顏色的輻射,-在所述第三亞像素之上設置第二轉換層,所述第二轉換層適合用于將第一顏色的輻射和/或第二顏色的輻射轉換成第三顏色的輻射,-為了將所述第一轉換層設置在所述第二亞像素之上并且為了將所述第二轉換層設置在所述第三亞像素之上,分別執行至少一個過程步驟,其中在所述像素之上的至少一個限定的區域中施加或移除所述第一轉換層或所述第二轉換層,-在所述過程步驟中電運行所述LED芯片的一部分,-通過由所述LED芯片的一部分產生的電磁輻射、產生的熱量或產生的電場來限定至少一個所述區域,-將所述第一轉換層設置在所述LED發光單元之上,-將所述第二轉換層從所述第一亞像素和所述第二亞像素移除,并且-將所述第一轉換層從所述第一亞像素移除,其中移除所述第一轉換層和/或所述第二轉換層借助于用于局部的層剝離的方法來進行,所述用于局部的層剝離的方法借助于由所述LED芯片的一部分產生的電場來局部地增強;所述目的還通過一種用于制造多色的LED顯示器的方法來實現,所述LED顯示器具有帶有多個像素的LED發光單元,其中-所述像素具有用于發射第一顏色的第一亞像素、用于發射第二顏色的第二亞像素和用于發射第三顏色的第三亞像素,-亞像素分別包含LED芯片,所述LED芯片適合用于發射第一顏色的輻射,-至少在所述第二亞像素之上設置第一轉換層,所述第一轉換層適合用于將第一顏色的輻射轉換成第二顏色的輻射,-在所述第三亞像素之上設置第二轉換層,所述第二轉換層適合用于將第一顏色的輻射和/或第二顏色的輻射轉換成第三顏色的輻射,-為了將所述第一轉換層設置在所述第二亞像素之上并且為了將所述第二轉換層設置在所述第三亞像素之上,分別執行至少一個過程步驟,其中在所述像素之上的至少一個限定的區域中施加或移除所述第一轉換層或所述第二轉換層,-在所述過程步驟中電運行所述LED芯片的一部分,-通過由所述LED芯片的一部分產生的電磁輻射、產生的熱量或產生的電場來限定至少一個所述區域,其中-施加輻射和/或熱量敏感的層并且將其按區域地借助于由所述LED芯片的一部分發射的輻射和/或產生的熱量改變,并且-在所述區域中或在所述區域之外在所述輻射和/或熱量敏感的層中制造開口;所述目的還通過一種用于制造多色的LED顯示器的方法來實現,所述LED顯示器具有帶有多個像素的LED發光單元,其中-所述像素具有用于發射第一顏色的第一亞像素、用于發射第二顏色的第二亞像素和用于發射第三顏色的第三亞像素,-亞像素分別包含LED芯片,所述LED芯片適合用于發射第一顏色的輻射,-至少在所述第二亞像素之上設置第一轉換層,所述第一轉換層適合用于將第一顏色的輻射轉換成第二顏色的輻射,-在所述第三亞像素之上設置第二轉換層,所述第二轉換層適合用于將第一顏色的輻射和/或第二顏色的輻射轉換成第三顏色的輻射,-為了將所述第一轉換層設置在所述第二亞像素之上并且為了將所述第二轉換層設置在所述第三亞像素之上,分別執行至少一個過程步驟,其中在所述像素之上的至少一個限定的區域中施加或移除所述第一轉換層或所述第二轉換層,-在所述過程步驟中電運行所述LED芯片的一部分,-通過由所述LED芯片的一部分產生的電磁輻射、產生的熱量或產生的電場來限定至少一個所述區域,其中借助于電泳沉積所述第一轉換層和/或所述第二轉換層,其中該沉積借助于由所述LED芯片的一部分產生的電場局部地增強。本發明的有利的設計方案和改進形式是本文的主題。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于歐司朗光電半導體有限公司,未經歐司朗光電半導體有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380039951.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于制造光電子構件的方法
- 下一篇:帶有傳熱屏蔽件的斷路器極部件
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





