[發明專利]基座、結晶生長裝置以及結晶生長方法

在審

• 申請號: 201380039771.5
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN104641454A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 宮下雅仁;肥后正昭
• 申請（專利權）人: 同和電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/458;H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種基座，其是用來支撐基板、并在該基板上利用化學氣相沉積法來形成生長層的基座，其特征在于，

所述基座具有下部板與上部板，其中所述上部板被設置在該下部板的上表面；

所述下部板具備基板載置部，該基板載置部是在所述下部板的上表面載置所述基板的區域，并且，所述下部板在所述基板載置部周圍具備外周突起部，該外周突起部形成為：將所述基板包圍在所述基板載置部上的形狀；

所述上部板載置于所述下部板的上表面的除了所述基板載置部以及所述外周突起部以外的區域，所述上部板具有使所述基板載置部和所述外周突起部的頂部暴露于所述上部板的上表面一側的形狀；

所述上部板的在上下方向上的熱傳導率比所述下部板的在上下方向上的熱傳導率低。

2.如權利要求1所述的基座，其特征在于，

在所述基板載置部中載置所述基板的面被設定為：比載置所述上部板的所述下部板的上表面還要高；將所述下部板和所述上部板進行組合的時候，所述上部板的上表面與所述外周突起部的頂部處于同一高度。

3.如權利要求1或2所述的基座，其特征在于，所述外周突起部的寬度為1.0mm～5.0mm的范圍。

4.如權利要求1～3任一項所述的基座，其特征在于，構成所述上部板的主要材料是熱解石墨即熱解炭。

5.如權利要求1～4任一項所述的基座，其特征在于，在所述下部板的表面具備表面保護層。

6.如權利要求5所述的基座，其特征在于，所述表面保護層是由熱解氮化硼(PBN)或者碳化硅(SiC)構成的。

7.一種結晶生長裝置，其是在基座上載置基板，在該基板上利用化學氣相沉積法形成生長層的結晶生長裝置，其特征在于，

所述基座具有下部板與上部板，其中該上部板被設置在該下部板的上表面；

所述下部板具備基板載置部，該基板載置部是在所述下部板的上表面載置所述基板的區域，并且，所述下部板在所述基板載置部周圍具備外周突起部，該外周突起部形成為：將所述基板包圍在所述基板載置部上的形狀；

所述上部板載置于所述下部板的上表面的除了所述基板載置部以及所述外周突起部以外的區域，所述上部板具有使所述基板的上表面和所述外周突起部的頂部暴露于所述上部板的上表面一側的形狀；

所述上部板的在上下方向上的熱傳導率比所述下部板以及所述基板的在上下方向上的熱傳導率低。

8.如權利要求7所述的結晶生長裝置，其特征在于，

所述基板載置部的載置所述基板的面被設定為：比所述下部板的載置所述上部板的上表面高；將所述下部板、所述基板和所述上部板進行組合的時候，所述上部板的上表面、所述基板的上表面以及所述外周突起部的頂部處于同一高度。

9.如權利要求7或8所述的結晶生長裝置，其特征在于，所述外周突起部的寬度為1.0mm～5.0mm的范圍。

10.如權利要求7～9任一項所述的結晶生長裝置，其特征在于，構成所述下部板的主要材料是石墨；構成所述上部板的主要材料是熱解石墨即熱解炭。

11.如權利要求7～10任一項所述的結晶生長裝置，其特征在于，在所述下部板的表面具備表面保護層。

12.如權利要求11所述的結晶生長裝置，其特征在于，所述表面保護層是由熱解氮化硼(PBN)或者碳化硅(SiC)構成的。

13.一種結晶生長方法，其特征在于，使用權利要求7～12任一項所述的結晶生長裝置，在腔內加熱所述下部板，在所述基板載置于所述基座上且在加熱狀態下，通入包含所述生長層的原料的原料氣體。

14.如權利要求13所述的結晶生長方法，其特征在于，所述基板是藍寶石，所述生長層生長時，所述基板的溫度在1000℃以上。

15.如權利要求13或14所述的結晶生長方法，其特征在于，所述生長層為氮化物半導體。