[發明專利]量子阱可調諧短腔激光器

在審

• 申請號: 201380039767.9
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN104685735A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: A·E·凱布爾;V·賈亞拉曼;B·M·波特賽義德
• 申請（專利權）人: 統雷有限公司;普雷維烏姆研究公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/34
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 譚英強

1.一種可調諧激光器，用于在具有中心波長(220)的發射波長范圍(210)上發射可調輻射，并具有在所述波長范圍上的輸出功率譜(200)以及一平均發射功率，所述可調諧激光器包括：

光腔，含有第一和第二反射鏡(130,140)；

量子阱增益區域(110)，插入在所述第一和第二反射鏡(130,140)之間并且包括至少一個量子阱；

調諧區域(120)；以及

用于調整所述調諧區域的光程長度的裝置；

其中：

所述光腔的自由頻譜范圍(FSR)超過所述中心波長的5％；

所述可調諧激光器在所述波長范圍上基本上以單縱向和橫向模式進行操作；

用于調整光程長度的所述裝置具有6-dB帶寬大于大約1kHz的波長調諧頻率響應；以及

所述至少一個量子阱的每一個均基本上與所述光腔的光學駐波圖形的波峰對準。

2.根據權利要求1所述的可調諧激光器，其中所述量子阱增益區域包括壓縮應變材料的至少一個量子阱。

3.根據權利要求2所述的可調諧激光器，其中所述至少一個量子阱由AlInGaAs組成。

4.根據權利要求1所述的可調諧激光器，其中所述量子阱增益區域確切地包括壓縮應變AlInGaAs的3個量子阱。

5.根據權利要求1所述的可調諧激光器，其中所述量子阱增益區域包括至少一個GaInNAs量子阱。

6.根據權利要求1所述的可調諧激光器，其中所述可調諧激光器為光學泵浦的并且所述至少一個量子阱被定位在單獨的腔內光學駐波波峰上。

7.根據權利要求4所述的可調諧激光器，其中所述可調諧激光器為光學泵浦的并且所述3個量子阱基本上均對準單個的光學駐波波峰。

8.根據權利要求7所述的可調諧激光器，其中所述可調諧激光器具有140-170nm范圍的FSR。

9.根據權利要求7所述的可調諧激光器，其中所述量子阱包括2個量子限態。

10.根據權利要求1所述的可調諧激光器，其中所述中心波長位于700-1100nm范圍內。

11.根據權利要求10所述的可調諧激光器，其中所述至少一個量子阱由壓縮應變InGaAs組成。

12.根據權利要求10所述的可調諧激光器，其中所述至少一個量子阱由包括InGaAs、GaAs、AlGaAs、InGaP、AiInGaAs和InGaAsP的化合物列表中的至少一個形成。

13.根據權利要求11所述的可調諧激光器，其中所述量子阱增益區域包括確切的3個量子阱。

14.根據權利要求13所述的可調諧激光器，其中所述確切的3個量子阱包括2個量子限態。

15.根據權利要求11所述的可調諧激光器，其中所述InGaAs量子阱具有拉伸應變GaAsP的至少一個勢壘。

16.根據權利要求1所述的可調諧激光器，其中所述中心波長位于400-550nm的范圍內。

17.根據權利要求16所述的可調諧激光器，其中所述量子阱增益區域包括包括鎵和氮的量子阱。

18.根據權利要求1所述的可調諧激光器，其中所述中心波長在550-700nm的范圍內。

19.根據權利要求18所述的可調諧激光器，其中所述量子阱增益區域包括包括銦、鎵和磷的量子阱。

20.根據權利要求1所述的可調諧激光器，其中所述中心波長位于1800-2500nm的范圍內。

21.根據權利要求20所述的可調諧激光器，其中所述量子阱增益區域包括至少一個生長在InP襯底上的InGaAs量子阱。

22.根據權利要求20所述的可調諧激光器，其中所述量子阱增益區域包括至少一個生長在GaSb襯底上的量子阱。

23.根據權利要求1所述的可調諧激光器，其中所述可調諧激光器為電泵浦的。

24.根據權利要求1所述的可調諧激光器，其中所述可調諧激光器由具有泵浦波長的泵浦激光器光學泵浦。