[發明專利]背脊激光器

有效

• 申請號: 201380039535.3
• 申請日: 2013-06-03
• 公開（公告）號: CN104604052B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: J·米勒;A·S·阿夫拉梅斯庫
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22;H01S5/042;H01S5/20;H01S5/223
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 張濤,劉春元

1.背脊激光器（1），具有：

具有活性區（20）的半導體層序列（2），

具有寬度（B）的波導（3），也稱背脊，其中該波導（3）從所述半導體層序列（2）作為凸起形成，

接觸金屬化部（4），其施加在所述波導（3）的背離所述活性區（20）的上側（30）上，和

通電層（5），其與所述接觸金屬化部（4）直接接觸并且通過該通電層電氣連接所述接觸金屬化部（4），

其中

- 所述活性區（20）和/或所述波導（3）的通電寬度（C）小于所述波導（3）的寬度（B），

- 所述波導（3）與所述活性區（20）有間隔，

- 所述上側（30）僅部分由具有接觸寬度（M）的所述接觸金屬化部（4）覆蓋并且所述接觸寬度（M）小于所述波導（3）的寬度（B），

- 所述通電層（5）在部分位置接觸所述上側（30），

- 所述接觸金屬化部（4）離開所述上側（30）的一個邊緣的距離為至少0.15 μm和/或所述波導（3）的寬度（B）的至少2.5％，和

- 鈍化層（6）位于所述半導體層序列（2）和所述通電層（5）之間的部分位置。

2.根據權利要求1所述的背脊激光器（1），

其中

所述鈍化層（6）僅部分地覆蓋所述上側（30），

所述接觸金屬化部（4）用使得與所述半導體層序列（2）構成歐姆接觸的材料形成，和

所述通電層（5）用不同的、使得與所述半導體層序列（2）構成非歐姆接觸的材料形成。

3.根據權利要求1所述的背脊激光器（1），其中

- 所述活性區（20）和所述波導（3）的通電寬度（C）小于所述波導（3）的寬度（B），和

- 所述接觸金屬化部（4）離開所述上側（30）的一個邊緣的距離為至少0.15 μm和波導（3）的寬度（B）的至少2.5％。

4.根據權利要求1所述的背脊激光器（1），

其中對于所述接觸寬度（M）、所述波導（3）的寬度（B）和覆蓋部分（S）成立：

0.05 B ≤ M ≤ 0.8 B和0.3 (B－M) ≤ S ≤ (B－M)，

式中所述覆蓋部分S是所述波導（3）的上側（30）的以下部分，該部分在平行于所述波導（3）的寬度（B）的方向上與所述通電層（5）直接接觸。

5.根據權利要求1至4之一所述的背脊激光器（1），

其中在所述上側（30）上施加所述接觸金屬化部（4）的多個條，其中相鄰的條平行延伸并且彼此的距離在1 μm和6 μm之間，其中含1 μm，和

其中所有條一起的總寬度為所述波導（3）的寬度（B）的至少25％和最大80％。

6.根據權利要求1至4之一所述的背脊激光器（1），

其中所述通電層（5）在部分位置接觸所述波導（3）的側面（35），

其中在橫截面中看，所述側面（35）有最大80％的部分與所述通電層（5）直接接觸，并且其中在橫截面中看所述側面（35）和所述活性區（20）之間的角為90°，并且具有最大15°的公差。

7.根據權利要求1至4之一所述的背脊激光器（1），

該背脊激光器作為單模激光器構造，并且所述波導（3）的寬度（B）在1 μm和4 μm之間，其中含1 μm。

8.根據權利要求1至4之一所述的背脊激光器（1），

該背脊激光器作為多模激光器構造，并且所述波導（3）的寬度（B）在2 μm和200 μm之間，其中含2 μm。

9.根據權利要求1至4之一所述的背脊激光器（1），

其中所述半導體層序列（2）基于AlInGaN，并且所述波導（3）到所述活性區（20）的距離（d）在30 nm和400 nm之間，其中含30 nm。

10.根據權利要求1所述的背脊激光器（1），

其中所述接觸金屬化部（4）用使得與所述半導體層序列（2）構成歐姆接觸的材料形成，

其中所述通電層（5）用不同的、使得與所述半導體層序列（2）構成非歐姆接觸的材料形成，和

其中所述接觸金屬化部（4）的材料相對于所述半導體層序列（2）具有比所述通電層（5）的材料更高的逸出功。