[發(fā)明專利]EUV投射曝光設(shè)備的反射鏡布置及其操作方法,及EUV投射曝光設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380039384.1 | 申請日: | 2013-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN104487899B | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | B.比特納;N.韋伯拉;S.施奈德;R.施奈德;H.瓦格納;R.伊利夫;W.保爾斯 | 申請(專利權(quán))人: | 卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G02B7/00;G02B17/06;G21K1/06 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人: | 陳金林 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | euv 投射 曝光 設(shè)備 反射 布置 及其 操作方法 | ||
1.一種微光刻的EUV投射曝光設(shè)備(200)的反射鏡布置,包含多個反射鏡(30;50;70;110;150;170;210-218、224-234),所述多個反射鏡各具有在EUV光譜范圍中為反射的層(32;52;72;112;152;172)并具有主體(34;54;74;114;154;174),所述層能夠被施加EUV輻射,其特征在于:所述多個反射鏡的至少一個反射鏡(30;70;110;150;170;226)具有包含具有負熱膨脹系數(shù)的材料的至少一個層(36;76;118;156;178),并且所述反射鏡布置還包含至少一個熱源(96;126),從而以有目標(biāo)的方式局部施加熱至所述至少一個反射鏡(70;110)的具有負熱膨脹系數(shù)的至少一個層(76;118)。
2.如權(quán)利要求1所述的反射鏡布置,其特征在于:所述至少一個反射鏡(110;170)具有至少一個另外層(116;176),所述至少一個另外層包含具有正熱膨脹系數(shù)的材料,所述至少一另外層與具有負熱膨脹系數(shù)的所述至少一個層(118;178)通過至少一個熱絕緣層(120;180)分開。
3.如權(quán)利要求1或2所述的反射鏡布置,其特征在于:所述多個反射鏡(30;50;70;110;150;170;210-218、224-234)的至少一個另外反射鏡具有包含具有負熱膨脹系數(shù)的材料的至少一個層。
4.如權(quán)利要求1或2所述的反射鏡布置,其特征在于:所述多個反射鏡的至少一個另外反射鏡(50;224)具有包含具有正熱膨脹系數(shù)的材料至少一個層(56)。
5.如權(quán)利要求3所述的反射鏡布置,其特征在于:所述至少一個反射鏡(70;226)和所述至少一個另外反射鏡(50;224)布置在所述EUV輻射的光束路徑中關(guān)于其光學(xué)效應(yīng)為共軛或近似共軛的位置。
6.如權(quán)利要求3所述的反射鏡布置,其特征在于至少一個另外熱源(92;122),從而以有目標(biāo)的方式局部施加熱至所述至少一個另外反射鏡(50;224)的具有負或正熱膨脹系數(shù)的至少一個層(56)。
7.如權(quán)利要求2所述的反射鏡布置,其特征在于至少一個另外熱源(122),從而以有目標(biāo)的方式局部施加熱至所述至少一個反射鏡的具有正熱膨脹系數(shù)的至少一個層(116)。
8.如權(quán)利要求1或2所述的反射鏡布置,其特征在于:設(shè)計所述至少一個熱源(96;126)和/或所述至少一個另外熱源(92;122)以施加位置可變熱分布至具有負熱膨脹系數(shù)的所述至少一個層(76;118)和/或具有正熱膨脹系數(shù)的所述至少一個層(56;116)。
9.如權(quán)利要求1或2所述的反射鏡布置,其特征在于:所述至少一個熱源(96;126)和/或所述至少一個另外熱源(92;122)為IR輻射源(94、98、124、128)。
10.如權(quán)利要求1或2所述的反射鏡布置,其特征在于:所述至少一個熱源(96;126)和/或所述至少一個另外熱源(92;122)通過所述反射層(52;72;112)施加熱至具有負熱膨脹系數(shù)的所述至少一個層(76;118)和/或具有正熱膨脹系數(shù)的所述至少一個層(56)。
11.如權(quán)利要求1或2所述的反射鏡布置,其特征在于:所述至少一個熱源(96;126)和/或所述至少一個另外熱源(92;122)從所述主體(54;74;114)的側(cè)面施加熱至具有負熱膨脹系數(shù)的所述至少一個層(76;118)和/或具有正熱膨脹系數(shù)的所述至少一個層(56)。
12.如權(quán)利要求1或2所述的反射鏡布置,其特征在于:至少一個熱絕緣層(160;182)存在于具有負熱膨脹系數(shù)的所述至少一個層(156;178)與所述主體(154;174)之間。
13.如權(quán)利要求12所述的反射鏡布置,其特征在于:具有高導(dǎo)熱性的層存在于所述熱絕緣層(160;182)與所述主體(154;174)之間。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司,未經(jīng)卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380039384.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
G03F7-12 .網(wǎng)屏印刷模或類似印刷模的制作,例如,鏤花模版的制作
G03F7-14 .珂羅版印刷模的制作
G03F7-16 .涂層處理及其設(shè)備
G03F7-20 .曝光及其設(shè)備
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗設(shè)備、驗證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





